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IS41LV16256B-35T 发布时间 时间:2025/9/1 10:40:50 查看 阅读:11

IS41LV16256B-35T 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要快速数据访问的应用场景。这款SRAM芯片的容量为256K x 16位,工作电压为3.3V,支持异步操作。IS41LV16256B-35T采用54引脚TSOP封装,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),因此非常适合用于工业控制、通信设备以及网络设备等高可靠性需求的场合。

参数

容量:256K x 16位
  电压:3.3V
  访问时间:35ns
  封装类型:54引脚TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据宽度:16位
  封装尺寸:标准TSOP尺寸
  功耗:低功耗CMOS设计
  输入/输出电平:TTL兼容

特性

IS41LV16256B-35T具备多种优异的性能特征。首先,其高速访问时间为35ns,能够满足高性能系统对快速数据存取的需求。其次,该器件采用低功耗CMOS工艺,在待机模式下功耗极低,有助于延长设备的电池寿命并减少热量产生。
  此外,该SRAM芯片具有异步操作功能,无需时钟信号控制,简化了设计复杂度。其16位数据宽度支持并行数据传输,提高了数据处理效率。封装方面,54引脚TSOP封装不仅节省空间,还便于PCB布局与焊接。
  在可靠性方面,IS41LV16256B-35T支持工业级温度范围,确保其在各种恶劣环境条件下依然能够稳定运行。此外,该芯片还具有高抗噪能力和优异的电气稳定性,适用于对数据完整性要求较高的应用场景。

应用

IS41LV16256B-35T广泛应用于需要高速存储和可靠性的电子系统中。常见的应用包括工业自动化控制系统、嵌入式系统、网络交换设备、路由器、通信基站、医疗设备、测试仪器以及图形处理设备等。由于其异步接口和高速访问能力,该芯片也非常适合用于缓存存储器、帧缓冲器以及实时数据处理系统。
  在工业控制领域,该SRAM芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)或工业计算机中,作为临时数据存储单元,确保系统在高速运行时仍能保持稳定的数据传输性能。在网络设备中,IS41LV16256B-35T可以作为高速缓冲存储器,提升数据包处理效率。此外,在医疗设备中,该芯片可用于存储关键的操作参数和实时数据,保障设备的高精度运行。

替代型号

IS42S16256B-35T, CY62167EV30LL-35B4XI, IDT71V124SA35PFGI

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IS41LV16256B-35T参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织256 Kbit x 16
  • 封装 / 箱体TSOP-40
  • 存储容量4 MB
  • 访问时间35 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流220 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量135