时间：2025/9/1 10:10:55
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IS41LV16256B-35KL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256K x 16位，总存储容量为4Mbit。该芯片采用高性能CMOS技术制造，具有高速访问时间和低功耗的特点，适用于需要高性能数据存储和快速访问的应用场景。该器件采用54引脚TSOP封装，适用于工业级温度范围，是一款广泛用于通信、工业控制、嵌入式系统等领域的通用SRAM。
容量：256K x 16位
电压范围：3.3V ± 0.3V
最大访问时间：35ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：54-TSOP
数据总线宽度：16位
封装尺寸：54-TSOP（18.4mm x 20mm）
输入/输出电平：兼容3.3V逻辑
待机电流：最大10mA
工作电流：典型值120mA
IS41LV16256B-35KL具有多个显著的技术特性，首先其高速访问时间仅为35ns，适用于要求快速响应的系统应用。该芯片采用低功耗CMOS技术，在待机模式下电流消耗极低，适合对功耗敏感的设计。其256K x 16位的组织方式提供了高达4Mbit的存储容量，满足中等规模数据缓冲和临时存储的需求。该SRAM具备异步接口，与多种处理器和控制器兼容，简化了系统设计。此外，该器件支持工业级温度范围，确保在恶劣环境下仍能稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能和可靠性，适合在高密度PCB布局中使用。
IS41LV16256B-35KL适用于多种需要高速、低功耗SRAM的应用场合，包括但不限于工业控制系统、网络通信设备（如路由器和交换机）、测试仪器、图形显示模块、嵌入式系统缓存、视频处理单元、医疗设备以及汽车电子系统等。由于其高速访问能力和宽温特性，该芯片特别适合用于需要实时数据处理和高稳定性的系统中。
IS42LW16256B-35BL, CY62167EVLL-35B, IDT71V416SA35B, AS6C624096A-35SCN
