IS41LV16256B-35KL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K x 16位,总存储容量为4Mbit。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要高性能数据存储和快速访问的应用场景。该器件采用54引脚TSOP封装,适用于工业级温度范围,是一款广泛用于通信、工业控制、嵌入式系统等领域的通用SRAM。
容量:256K x 16位
电压范围:3.3V ± 0.3V
最大访问时间:35ns
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装类型:54-TSOP
数据总线宽度:16位
封装尺寸:54-TSOP(18.4mm x 20mm)
输入/输出电平:兼容3.3V逻辑
待机电流:最大10mA
工作电流:典型值120mA
IS41LV16256B-35KL具有多个显著的技术特性,首先其高速访问时间仅为35ns,适用于要求快速响应的系统应用。该芯片采用低功耗CMOS技术,在待机模式下电流消耗极低,适合对功耗敏感的设计。其256K x 16位的组织方式提供了高达4Mbit的存储容量,满足中等规模数据缓冲和临时存储的需求。该SRAM具备异步接口,与多种处理器和控制器兼容,简化了系统设计。此外,该器件支持工业级温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了散热性能和可靠性,适合在高密度PCB布局中使用。
IS41LV16256B-35KL适用于多种需要高速、低功耗SRAM的应用场合,包括但不限于工业控制系统、网络通信设备(如路由器和交换机)、测试仪器、图形显示模块、嵌入式系统缓存、视频处理单元、医疗设备以及汽车电子系统等。由于其高速访问能力和宽温特性,该芯片特别适合用于需要实时数据处理和高稳定性的系统中。
IS42LW16256B-35BL, CY62167EVLL-35B, IDT71V416SA35B, AS6C624096A-35SCN