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IS41LV16256B-35K 发布时间 时间:2025/12/28 17:49:43 查看 阅读:28

IS41LV16256B-35K 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的16位动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点,适用于需要大量高速存储器的应用场景,如网络设备、通信系统、工业控制设备等。IS41LV16256B-35K 的存储容量为256K x 16位,即总容量为4MB,工作电压为3.3V,属于标准的DRAM器件。

参数

容量:256K x 16位
  电压:3.3V
  封装:54引脚TSOP
  访问时间:3.5ns
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据输出类型:三态输出
  封装类型:TSOP(薄型小外形封装)
  引脚数:54
  时钟频率:最大可达143MHz
  功耗:典型工作电流为100mA(待机电流低至10mA)

特性

IS41LV16256B-35K 具有多个显著的性能优势和设计特点,使其在多种应用中表现出色。首先,其高速访问时间仅为3.5ns,支持高达143MHz的时钟频率,这使得它非常适合对时序要求极为严格的高性能系统。其次,该芯片采用低功耗CMOS工艺,在保持高性能的同时,显著降低了工作电流,典型工作电流为100mA,待机电流可低至10mA,从而提高了系统的能效,延长了设备的使用时间。
  此外,IS41LV16256B-35K 采用54引脚TSOP封装,符合行业标准,便于集成到各种印刷电路板(PCB)设计中。该封装还具有良好的热性能和机械稳定性,适用于工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C),确保了在严苛环境下的可靠运行。芯片的三态输出功能允许在共享总线系统中灵活使用,避免信号冲突,提高系统稳定性。
  IS41LV16256B-35K 还具备自刷新(Self-Refresh)模式,可在低功耗状态下保持数据完整性,非常适合需要长时间数据保持而功耗受限的应用场景。其兼容性和易用性也使得它在嵌入式系统、通信模块、视频处理设备等领域得到了广泛应用。

应用

IS41LV16256B-35K 被广泛应用于需要大容量、高速存储的电子系统中。其主要应用领域包括但不限于网络设备(如路由器和交换机)、通信基础设施(如基站和接入设备)、工业控制设备(如PLC和自动化系统)、视频处理设备(如编码器和解码器)以及嵌入式系统(如智能卡终端和数据采集设备)。该芯片的高速性能和低功耗特性使其在需要实时数据处理和高吞吐量的应用中表现出色。

替代型号

IS41LV16256B-35K 可以被以下型号替代:IS41LV16256B-40K(访问时间4.0ns)、IS41LV16256B-50K(访问时间5.0ns)、ISSI的IS42S16256A-35K(高速同步DRAM)

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IS41LV16256B-35K参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类动态随机存取存储器
  • 数据总线宽度16 bit
  • 组织256 Kbit x 16
  • 封装 / 箱体SOJ-40
  • 存储容量4 MB
  • 访问时间35 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min3 V
  • 最大工作电流220 mA
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 封装Tube
  • 最小工作温度0 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 工厂包装数量17