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IS41LV16105D-50TLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:59:57 查看 阅读:13

IS41LV16105D-50TLI 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有16位数据总线和1024K地址空间,总容量为16Mbit(1M x 16)。该芯片采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要高速数据访问和低功耗的系统应用。IS41LV16105D-50TLI 采用50ns访问时间,适用于通信、网络设备、工业控制、嵌入式系统等多种高性能存储应用场合。该器件封装为小型TSOP(Thin Small Outline Package),适用于空间有限的电路板设计。

参数

容量:16Mbit
  组织方式:1M x 16
  访问时间:50ns
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  数据总线宽度:16位
  接口类型:异步
  功耗(典型值):低功耗设计
  封装引脚数:54
  读写操作模式:异步读/写控制
  时钟频率:无内置时钟,异步操作

特性

IS41LV16105D-50TLI 是一款高性能异步SRAM,具有50ns的快速访问时间,能够满足高速数据缓存和临时存储的需求。其16位宽的数据总线可以提高数据传输效率,特别适用于需要高带宽的应用场景。
  这款SRAM采用低功耗CMOS技术,能够在保证性能的同时降低整体功耗,适合对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。此外,它的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C,能够在工业级温度环境中稳定运行,提高了其在恶劣环境下的可靠性。
  该芯片的TSOP封装设计减小了占用空间,使得它非常适合用于高密度PCB布局。此外,其异步控制接口简化了与微处理器或控制器的连接,减少了设计复杂性,提高了系统集成的灵活性。
  IS41LV16105D-50TLI 还具备良好的抗干扰能力和稳定性,适用于高要求的工业控制系统、网络交换设备、数据采集系统和图像处理设备等。其异步读写控制支持独立的读使能(OE)和写使能(WE)信号,允许灵活的存储器操作模式。

应用

IS41LV16105D-50TLI 主要应用于需要高速存储器支持的系统中,如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、网络路由器和交换机、测试测量仪器、数据采集系统、图形处理模块、汽车电子系统等。
  在通信设备中,该芯片可用于缓存数据、存储临时变量或作为高速缓冲存储器,提高数据处理效率。在网络设备中,可用于存储MAC地址表、路由表等关键信息。在工业控制中,该SRAM可用于存储程序变量、传感器数据或实时控制参数。
  此外,由于其工业级温度适应能力,IS41LV16105D-50TLI 也适用于车载电子系统、智能监控设备、医疗电子设备等对稳定性和可靠性有较高要求的应用场景。

替代型号

IS42LW16105D-50TLI, CY62167VLL-55B3C, IDT71V416SA50PFG, IS41LV16105D-50GALI

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IS41LV16105D-50TLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格234 : ¥46.66761托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术DRAM - FP
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳50-TSOP(0.400",10.16mm 宽),44 引线
  • 供应商器件封装50-TSOP II