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IS41LV16105D-50KLI 发布时间 时间:2025/9/1 8:33:00 查看 阅读:6

IS41LV16105D-50KLI 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有16位数据宽度和1056Kbit的存储容量,采用高性能CMOS工艺制造,专为需要高速访问和低功耗应用设计。该器件适用于各种高性能电子设备,如网络设备、通信设备、工业控制系统和消费电子产品。

参数

容量:1056Kbit
  组织方式:16位数据宽度
  访问时间:50ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  封装尺寸:54-pin
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  最大功耗:200mA(典型值)
  读写模式:异步

特性

IS41LV16105D-50KLI 提供高速访问时间和低功耗特性,适用于对性能和能效要求较高的应用场景。其异步接口设计使得该芯片能够灵活地与多种主控系统进行连接。芯片内置的高速CMOS工艺保证了快速的数据读写能力,同时在待机模式下保持极低的功耗,适合需要节能设计的设备使用。
  此外,IS41LV16105D-50KLI 采用54引脚TSOP封装,符合工业级温度范围要求(-40°C至+85°C),确保在恶劣环境条件下仍能稳定运行。芯片还具有高可靠性和抗干扰能力,适用于工业控制、通信和网络设备等关键应用领域。

应用

IS41LV16105D-50KLI 主要应用于需要高速数据存取和低功耗特性的电子系统。典型应用包括网络路由器和交换机中的数据缓存、工业控制系统的实时数据存储、通信设备的缓冲存储器,以及高端消费电子产品如打印机、扫描仪和图像处理设备中的临时数据存储。此外,该芯片也适用于测试测量设备、医疗设备和汽车电子系统,提供可靠的高速存储解决方案。

替代型号

ISSI IS42LV16105D-50TLI, ISSI IS41LV16105A-50KLI, ISSI IS41LV16105D-50TLI

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IS41LV16105D-50KLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术DRAM - FP
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳42-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装42-SOJ