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IS41LV16100B50TL 发布时间 时间:2025/12/28 18:08:48 查看 阅读:17

IS41LV16100B50TL 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗、异步静态随机存取存储器(Static RAM, SRAM)芯片。该SRAM芯片具有1Mbit的存储容量,采用16位数据总线宽度,适用于需要快速存取和稳定性能的嵌入式系统和工业控制应用。这款芯片采用标准的TSOP封装形式,适用于商业级和工业级工作温度范围,具有良好的可靠性和广泛的适用性。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:x16
  访问时间:50ns
  工作电压:3.3V
  封装形式:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据总线宽度:16位
  封装类型:表面贴装
  封装尺寸:54引脚

特性

IS41LV16100B50TL 是一款高性能的异步SRAM芯片,具有低功耗与高速访问的双重优势。其访问时间仅为50纳秒,确保了在高频操作中的快速响应能力,适合对实时性要求较高的应用场合。芯片的工作电压为3.3V,相比传统的5V SRAM芯片,功耗更低且兼容现代低电压系统。此外,该芯片采用TSOP封装技术,减小了封装体积,提升了散热性能,并适用于表面贴装工艺,提高了系统集成度和可靠性。
  IS41LV16100B50TL 支持-40°C至+85°C的宽温工作范围,使其适用于工业控制、通信设备、网络设备和嵌入式系统等对环境温度有较高要求的场合。该SRAM无需刷新电路即可保持数据完整性,简化了系统设计,同时具备较高的抗干扰能力和稳定性,能够有效应对复杂电磁环境下的数据存储需求。

应用

IS41LV16100B50TL 主要应用于对存储速度和稳定性要求较高的工业控制系统、通信设备、路由器、交换机、测试测量仪器、医疗设备以及车载电子系统。其低功耗设计也使其适用于便携式设备和电池供电系统。此外,该芯片还广泛用于图像处理模块、嵌入式数据缓存、实时数据采集系统等对数据访问速度敏感的应用场景。由于其高可靠性与宽温特性,该芯片也适用于航空航天、军事设备等对元器件性能有严苛要求的领域。

替代型号

IS42LW16100B50TL, CY62167VLL55ZSXE, IDT71V128SA50PFGI

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