IS41LV16100B-50KL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),其容量为16Mbit(1Meg x 16bit),适用于需要高速数据访问的工业和通信设备。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高可靠性和高速访问时间等特点。IS41LV16100B-50KL的访问时间为5.4ns,工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准。
容量:16Mbit (1Meg x 16)
访问时间:5.4ns
电压供应:3.3V
封装类型:TSOP
引脚数:54
工作温度范围:-40°C至+85°C
数据总线宽度:16位
封装尺寸:54-TSOP
接口类型:异步
最大功耗:1.2W
输入/输出电平:CMOS
IS41LV16100B-50KL SRAM芯片具有多项关键特性,使其适用于高性能数据存储和缓存应用。首先,其高速访问时间(5.4ns)确保了在高速系统总线环境下能够实现快速数据读写操作。其次,该芯片采用3.3V供电,支持低功耗模式,有助于降低整体系统功耗并提高能效。此外,该器件采用CMOS工艺制造,具有良好的抗干扰能力和稳定性,适合在工业环境和高温条件下运行。
IS41LV16100B-50KL的封装形式为54引脚TSOP,具有较小的封装尺寸,便于在空间受限的设计中使用。同时,其异步接口设计简化了与外部控制器的连接,无需复杂的时钟同步机制,提高了系统的兼容性和设计灵活性。
该SRAM芯片还具备自动低功耗模式,在无操作时自动进入待机状态,从而进一步节省电力。此外,它支持全地址和数据总线的三态控制,有助于实现多路复用系统的高效管理。IS41LV16100B-50KL在高可靠性方面表现出色,适用于电信、网络设备、工业控制和嵌入式系统等对稳定性要求较高的应用场景。
IS41LV16100B-50KL广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的系统中。常见的应用包括路由器和交换机的数据缓存、工业控制系统的临时数据存储、医疗设备中的高速数据处理模块、测试与测量仪器的临时存储器以及嵌入式系统的高速缓冲存储器。此外,它也可用于视频处理设备、通信基站和网络存储设备中。
IS42S16100B-50TL, CY62167DV30LL-55ZSXI, IDT71V128L10PFG, IS41LV16128A-50TL