IS41C16257-35K 时间：2025/9/1 13:40:25 阅读：24

IS41C16257-35K 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有16位数据宽度和256K地址空间，总容量为4兆位（4Mbit），采用高速CMOS技术制造，适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场景。IS41C16257-35K 的访问时间仅为35纳秒，使其非常适合用于缓存、网络设备和工业控制系统等高性能系统。

参数

容量：4Mbit
　　组织结构：256K x 16
　　访问时间：35ns
　　电源电压：5V
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装形式：54引脚 TSOP
　　数据宽度：16位
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　最大工作频率：约25MHz
　　功耗（典型值）：工作模式下约300mA，待机模式下约10mA

特性

IS41C16257-35K SRAM芯片采用了高速CMOS工艺，具有优异的稳定性和可靠性。其高速访问时间（35ns）使得该芯片能够满足高性能系统对快速数据存取的需求。芯片支持5V电源供电，兼容TTL电平，确保了与多种系统控制器的无缝连接。此外，该器件具有低待机电流，有助于降低系统功耗，提高能效。其54引脚TSOP封装形式不仅节省空间，还便于PCB布局与自动化生产。该芯片内置地址和数据锁存器，支持异步操作，简化了系统设计。ISSI提供的该系列SRAM芯片广泛应用于网络设备、通信模块、工业控制、嵌入式系统等领域。
　　该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于严苛的工业环境。IS41C16257-35K具备良好的抗干扰能力和稳定性，适合长时间连续运行的高可靠性系统。此外，其标准的异步SRAM接口便于与多种处理器和控制器进行连接，减少了设计复杂度。该芯片无需刷新操作，数据在供电状态下可保持不变，适用于关键数据存储和缓存应用。

应用

IS41C16257-35K广泛应用于需要高速存储和低延迟访问的系统中。例如，在网络设备中作为高速缓存用于临时存储数据包；在嵌入式系统中作为主SRAM存储程序和数据；在工业控制设备中用于实时数据处理和存储；在测试设备和测量仪器中用于数据缓冲和临时存储；在通信模块中作为高速数据交换的存储介质。此外，它也适用于需要高可靠性和稳定性的军事、航空航天和车载电子系统。