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IS41C16257-35K 发布时间 时间:2025/9/1 13:40:25 查看 阅读:8

IS41C16257-35K 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有16位数据宽度和256K地址空间,总容量为4兆位(4Mbit),采用高速CMOS技术制造,适用于需要高速数据存取和低功耗的应用场景。IS41C16257-35K 的访问时间仅为35纳秒,使其非常适合用于缓存、网络设备和工业控制系统等高性能系统。

参数

容量:4Mbit
  组织结构:256K x 16
  访问时间:35ns
  电源电压:5V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装形式:54引脚 TSOP
  数据宽度:16位
  输入/输出电平:TTL兼容
  最大工作频率:约25MHz
  功耗(典型值):工作模式下约300mA,待机模式下约10mA

特性

IS41C16257-35K SRAM芯片采用了高速CMOS工艺,具有优异的稳定性和可靠性。其高速访问时间(35ns)使得该芯片能够满足高性能系统对快速数据存取的需求。芯片支持5V电源供电,兼容TTL电平,确保了与多种系统控制器的无缝连接。此外,该器件具有低待机电流,有助于降低系统功耗,提高能效。其54引脚TSOP封装形式不仅节省空间,还便于PCB布局与自动化生产。该芯片内置地址和数据锁存器,支持异步操作,简化了系统设计。ISSI提供的该系列SRAM芯片广泛应用于网络设备、通信模块、工业控制、嵌入式系统等领域。
  该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于严苛的工业环境。IS41C16257-35K具备良好的抗干扰能力和稳定性,适合长时间连续运行的高可靠性系统。此外,其标准的异步SRAM接口便于与多种处理器和控制器进行连接,减少了设计复杂度。该芯片无需刷新操作,数据在供电状态下可保持不变,适用于关键数据存储和缓存应用。

应用

IS41C16257-35K广泛应用于需要高速存储和低延迟访问的系统中。例如,在网络设备中作为高速缓存用于临时存储数据包;在嵌入式系统中作为主SRAM存储程序和数据;在工业控制设备中用于实时数据处理和存储;在测试设备和测量仪器中用于数据缓冲和临时存储;在通信模块中作为高速数据交换的存储介质。此外,它也适用于需要高可靠性和稳定性的军事、航空航天和车载电子系统。

替代型号

IS42C16257-35K、CY7C1361KV18-35B、IDT71V416SA35PFG、AS7C34098A-35BC

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