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IS357C 发布时间 时间:2025/12/27 9:35:43 查看 阅读:12

IS357C是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)推出的高速、低功耗同步静态随机存取存储器(SRAM),属于其高性能SRAM产品线中的一员。该器件采用先进的CMOS工艺制造,专为需要快速数据存取和高可靠性的应用环境而设计。IS357C的典型应用包括网络设备、通信系统、工业控制、嵌入式系统以及需要缓存或临时数据存储的场合。该芯片具备出色的读写性能,能够在宽温度范围内稳定工作,适用于商业级和工业级应用场景。其封装形式通常为小型化的SOIC或TSSOP,便于在空间受限的PCB布局中使用。IS357C支持标准的并行接口协议,兼容通用的微处理器和微控制器总线时序,简化了系统集成过程。此外,该器件具有低待机电流特性,在空闲模式下可显著降低系统功耗,适合对能效有较高要求的设计。由于其高可靠性与稳定性,IS357C常被用于替代老式异步SRAM,在现代高速系统中提供更优的数据吞吐能力。该芯片符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的需求。整体而言,IS357C是一款兼顾速度、功耗与可靠性的高性能SRAM解决方案,广泛应用于各类中高端电子系统中。
  

参数

型号:IS357C
  容量:8Mbit (512K x 16)
  电源电压:3.3V ± 0.3V
  访问时间:10/12/15ns 可选版本
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP II, 48-pin
  组织结构:512K x 16位
  输入/输出逻辑电平:LVTTL 兼容
  最大读写周期时间:10/12/15ns
  待机电流:≤ 10μA(典型值)
  工作电流:≤ 90mA(典型值,f = fmax)
  三态输出:支持
  控制信号:CE#, WE#, OE#, UB#/LB#
  

特性

IS357C具备多项关键特性,使其在同类SRAM产品中脱颖而出。首先,其高速访问时间为10ns、12ns或15ns,具体取决于型号后缀,能够满足高频系统总线的需求,确保数据在微处理器、DSP或其他主控单元之间实现无缝传输。这种级别的响应速度特别适用于实时处理系统,如路由器、交换机中的帧缓冲、图像处理模块中的像素缓存等场景。其次,该器件采用同步架构设计,所有操作均与时钟信号同步,避免了异步SRAM中存在的时序不确定性问题,从而提升了系统的整体稳定性和抗干扰能力。时钟频率最高可达100MHz以上,配合流水线或突发访问模式,可进一步提升有效带宽。
  另一个显著特点是其低功耗设计。IS357C在正常工作状态下的电流消耗较低,而在待机或掉电模式下,通过CE#(片选)信号的控制,可将功耗降至微安级别,这对于便携式设备或长时间运行的工业控制系统尤为重要。此外,其CMOS制造工艺不仅有助于降低静态功耗,还增强了器件的抗噪声能力和热稳定性。
  IS357C支持字节写使能功能,通过UB#(Upper Byte Enable)和LB#(Lower Byte Enable)引脚,允许用户独立控制高字节和低字节的数据写入操作,提升了数据操作的灵活性。这一特性在处理16位总线系统中的8位数据传输时尤为有用,避免了不必要的总线冲突或无效写入。同时,该芯片具备三态输出缓冲器,可在总线共享环境中实现多设备挂接,防止信号竞争。
  从可靠性角度看,IS357C经过严格的制造测试和老化筛选,保证在工业级温度范围(-40°C至+85°C)内长期稳定运行。其封装采用标准48引脚TSOP II形式,便于自动化贴片和回流焊工艺,适合大规模生产。此外,器件符合JEDEC标准,引脚定义和时序规范清晰明确,方便工程师进行电路设计和调试。整体而言,IS357C凭借其高速度、低功耗、灵活控制和高可靠性,成为许多高性能嵌入式系统中不可或缺的存储组件。

应用

IS357C的应用领域广泛,主要集中在需要高速数据缓存和实时响应的电子系统中。在网络通信设备中,它常被用作以太网交换机、路由器或防火墙中的帧缓冲区,用于临时存储待转发的数据包,确保高速链路之间的无缝桥接。在工业自动化控制系统中,IS357C可用于PLC(可编程逻辑控制器)或HMI(人机界面)设备中,作为程序运行时的临时变量存储空间,提升系统响应速度。此外,在医疗成像设备、测试测量仪器以及雷达信号处理系统中,该SRAM可用于暂存采集到的原始数据,供后续DSP或FPGA进行快速分析处理。
  在消费类高端电子产品中,IS357C也有所应用,例如数字视频录像机(DVR)、高清电视(HDTV)或机顶盒中,用于图像解码过程中的帧缓冲或音频数据缓存。由于其16位数据宽度和高速访问能力,特别适合处理大量连续数据流的应用场景。在嵌入式系统开发板或评估套件中,IS357C常作为外部扩展RAM,弥补主控芯片内部SRAM容量不足的问题,支持复杂算法或多任务并发执行。
  此外,该器件还可用于军事和航空航天领域的加固型计算平台,因其具备良好的温度适应性和长期运行稳定性。在这些高可靠性要求的系统中,IS357C能够承受恶劣的工作环境,并保持数据完整性。总的来说,凡是需要快速、可靠、持续数据访问的场合,IS357C都是一种理想的选择。其并行接口结构虽然相比串行存储器占用更多引脚资源,但在追求极致性能的应用中仍具有不可替代的优势。

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IS357C参数

  • 最大集电极发射器饱和电压200mV
  • 产品宽度4.4mm
  • 产品长度3.6mm
  • 产品高度2mm
  • 供应商包装PDIP SMD
  • 典型上升时间4μs
  • 典型下落时间3μs
  • 典型前向电压1.2V
  • 功能晶体管和光电池输出型光耦合器
  • 安装贴片
  • 插脚数4
  • 最大上升时间18μs
  • 最大下落时间18μs
  • 最大前向电压1.4V
  • 最大功率耗散170mW
  • 最大工作温度100°C
  • 最大转移电流比400%
  • 最大输入电流50mA
  • 最大逆向电压5V
  • 最大集电极发射器电压35V
  • 最小工作温度-30°C
  • 最小转移电流比200%
  • 最小隔离电压3750Vrms
  • 每芯片通道数目1
  • 输入类型直流
  • 输出类型直流
  • 输出装置晶体管