时间：2025/9/1 8:31:36
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IS34ML04G081-TLI-TR 是由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款低功耗异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有较高的速度和较低的功耗，适用于对性能和功耗都有一定要求的嵌入式系统和通信设备。这款SRAM芯片具有4Mbit的存储容量，组织方式为256K x 16位，采用CMOS工艺制造，具备高速访问能力。其封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），适用于工业级温度范围，是一款高可靠性的存储器解决方案。
容量：4 Mbit
组织方式：256K x 16
电压范围：2.3V - 3.6V
访问时间（最大）：55 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-II
引脚数：54
封装尺寸：54-TSOP
读电流（最大）：160 mA
待机电流（最大）：10 mA
IS34ML04G081-TLI-TR 是一款专为高性能和低功耗设计的异步SRAM芯片。其主要特性包括高速访问时间和低功耗运行。该器件支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种电源设计环境，包括那些使用电池供电的设备。在高速模式下，其访问时间最快可达55ns，确保了系统运行的高效性。在低功耗模式下，待机电流仅为10mA（最大），非常适合需要延长电池寿命的应用场景。此外，该SRAM芯片采用了CMOS工艺技术，具备高噪声抑制能力和低静态功耗的优点。其TSOP封装形式不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于高密度PCB设计。该器件支持异步操作，无需时钟信号即可实现数据的读写操作，简化了系统设计复杂度。IS34ML04G081-TLI-TR 还具有宽温度范围（-40°C至+85°C）的特点，适用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等对可靠性要求较高的应用场景。
IS34ML04G081-TLI-TR 广泛应用于需要高速存储器的系统中，如嵌入式控制器、工业自动化设备、数据通信设备、网络路由器和交换机等。由于其低功耗特性和宽温度范围，也适用于便携式设备和恶劣环境下的电子产品。此外，该SRAM芯片还可用于图形处理模块、测试测量仪器以及汽车电子系统中的缓存存储器。
IS61WV25616BLL-55TFI, CY7C1041CV33-55BZC, IDT71V124SA55PI
