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IS34ML01G081-TLI 发布时间 时间:2025/9/1 10:43:25 查看 阅读:9

IS34ML01G081-TLI 是 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款低功耗、高性能的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用先进的 CMOS 技术制造,具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要可靠数据存储和快速数据访问的多种电子系统。

参数

容量:1Mbit
  组织方式:128K x 8
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:55ns(最大)
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

IS34ML01G081-TLI 是一款高性能的异步SRAM,其主要特点包括高速访问时间、低功耗运行以及宽电压范围支持。该芯片的访问时间为55ns,能够满足大多数高速系统的需求。其电压范围为2.3V至3.6V,允许其在多种电源条件下稳定运行。此外,该芯片支持异步操作,无需时钟信号,简化了系统设计。
  该器件的封装为TSOP,适用于紧凑型电路板设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适合工业级应用环境。IS34ML01G081-TLI 采用CMOS工艺制造,具有较高的抗干扰能力和较低的静态电流,有助于降低系统整体功耗。
  该芯片的输入/输出引脚设计符合标准SRAM接口,便于与各种微处理器、控制器和其他数字设备连接。此外,该芯片内置地址锁存器和数据锁存器,确保在高速操作下数据的完整性和稳定性。

应用

IS34ML01G081-TLI 主要用于需要高速、低功耗存储解决方案的应用场景,如网络设备、通信设备、工业控制系统、消费类电子产品、医疗设备以及嵌入式系统。其广泛的应用范围使其成为多种电子设备中理想的数据存储和缓存选择。

替代型号

IS61LV1024-55BLLI-T, CY62148E

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IS34ML01G081-TLI参数

  • 现有数量549现货
  • 价格1 : ¥40.54000托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页25ns
  • 访问时间25 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
  • 供应商器件封装48-TSOP