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IS25WP512M-RHLE 发布时间 时间:2025/12/28 18:15:12 查看 阅读:11

IS25WP512M-RHLE 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)公司推出的高性能、低功耗的串行闪存(Serial Flash)芯片,属于其高性能 SPI NOR Flash 系列。该芯片容量为512Mbit(即64MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口通信,适用于需要大容量存储和高速访问的应用场景,如工业控制、网络设备、消费电子和汽车电子等。IS25WP512M-RHLE 采用8引脚SOIC封装,工作温度范围为工业级-40°C至+85°C,适合各种严苛环境下的稳定运行。

参数

容量:512Mbit(64MB)
  接口类型:SPI
  最大时钟频率:104MHz
  工作电压:2.3V-3.6V
  封装类型:8-SOIC
  存储结构:每页256字节,块大小为4KB或64KB
  擦写周期:100000次(典型值)
  数据保持时间:20年
  工作温度范围:-40°C至+85°C

特性

IS25WP512M-RHLE 具备多项先进的功能和优化设计,以满足复杂应用对存储性能和可靠性的需求。首先,该芯片支持高速SPI接口,最高时钟频率可达104MHz,显著提升了数据读写速度,适用于需要快速启动和高效数据传输的应用场景。
  其次,该芯片采用低功耗设计,支持多种节能模式,包括待机模式和深度掉电模式,有助于延长电池供电设备的续航时间。
  此外,IS25WP512M-RHLE 提供灵活的存储架构,支持4KB和64KB的块擦除选项,用户可以根据实际需求选择最适合的擦写方式,从而优化存储管理效率。
  该芯片还集成了多种安全功能,如软件和硬件写保护机制,防止误擦除或误写入关键数据,确保系统数据的完整性。同时,它支持JEDEC标准的识别指令,便于系统识别和兼容不同厂商的闪存产品。
  在可靠性方面,IS25WP512M-RHLE 的擦写寿命高达100000次,数据保存时间长达20年,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行,适用于工业和汽车等高要求环境。

应用

IS25WP512M-RHLE 广泛应用于对存储容量和性能有较高要求的嵌入式系统和电子设备中。在工业控制领域,该芯片可用于存储程序代码、配置数据和运行日志,保障系统稳定运行。
  在通信设备中,如路由器、交换机和无线基站,IS25WP512M-RHLE 可用于存储固件、引导代码和配置信息,支持快速启动和系统更新。
  消费电子产品方面,该芯片适用于智能电视、机顶盒、可穿戴设备和智能家居控制器,提供大容量存储空间和低功耗特性。
  此外,在汽车电子系统中,如车载导航、仪表盘和ADAS模块,IS25WP512M-RHLE 可用于存储关键数据和系统镜像,满足汽车级的可靠性和温度适应性要求。

替代型号

IS25WP512M-JBLC、IS25WP512M-BLTA、IS25WP512M-DBLF

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IS25WP512M-RHLE产品

IS25WP512M-RHLE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格480 : ¥58.55879散装
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率112 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,1ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)