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IS25WP128-RHLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 13:11:41 查看 阅读:16

IS25WP128-RHLE-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的串行闪存(Serial Flash)芯片,容量为128Mbit(16MB),采用高性能、低功耗的SPI(Serial Peripheral Interface)协议进行通信。该芯片广泛用于需要大容量非易失性存储的应用场景,如网络设备、工业控制、消费电子、汽车电子等领域。IS25WP128-RHLE-TR采用8引脚SOIC封装,支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),适用于高可靠性和稳定性要求的系统设计。

参数

容量:128Mbit
  电压范围:2.3V至3.6V
  封装类型:8-SOIC
  工作温度:-40°C至+85°C
  接口:SPI
  最大时钟频率:104MHz
  读取模式:单线、双线、四线(Single/Dual/Quad SPI)
  写保护功能:软件和硬件写保护
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB和整片擦除
  编程页大小:256字节

特性

IS25WP128-RHLE-TR具备多种高性能特性,确保其在各种应用环境下的稳定性和灵活性。
  首先,该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗的特点,在待机模式下电流消耗极低,适用于电池供电设备和节能型系统。此外,其内部采用非易失性存储技术,数据保存时间可达20年,并支持至少10万次擦写循环,确保了长期使用的可靠性。
  其次,IS25WP128-RHLE-TR支持多种SPI读取模式,包括单线、双线和四线模式,最高支持104MHz的时钟频率,显著提高了数据传输速率,满足高速存储需求。同时,芯片内部集成了页编程、块擦除和全片擦除功能,用户可以根据应用需求灵活选择擦写方式,提高操作效率。
  该芯片还提供多种写保护机制,包括软件写保护和硬件写保护(通过WP引脚控制),可有效防止误擦写和误编程,保障关键数据的安全性。此外,芯片内置状态寄存器,用于监控当前操作状态,如写入/擦除是否完成、是否处于写保护状态等,便于系统进行状态管理。
  最后,IS25WP128-RHLE-TR的8-SOIC封装形式,便于PCB布局和焊接,适用于自动化生产和批量应用。其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够适应严苛的工业和车载环境。

应用

IS25WP128-RHLE-TR因其大容量、高性能和高可靠性,被广泛应用于多个领域。
  在嵌入式系统中,该芯片常用于存储启动代码(如Bootloader)、固件升级数据和配置信息,尤其适用于需要快速启动和频繁更新的设备。例如,在网络设备中,可用于存储路由器或交换机的操作系统映像;在工业控制设备中,用于存储设备参数和校准数据;在消费电子产品中,如智能电视、机顶盒等,用于存储系统设置和用户界面资源。
  此外,IS25WP128-RHLE-TR也适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、驾驶辅助系统(ADAS)和仪表盘模块,用于存储系统软件和用户数据。其工业级温度范围和高可靠性,使其能够在车载高温、高振动环境下稳定工作。
  在物联网(IoT)设备中,该芯片也可作为外部存储器,用于存储传感器数据、日志记录和固件更新包,支持设备的远程维护和升级。同时,其低功耗特性也适用于电池供电的边缘设备,延长设备续航时间。

替代型号

IS25LQ128, IS25LP128, W25Q128JV, S25FL128S, MX25U12355

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IS25WP128-RHLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥17.23672卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TBGA
  • 供应商器件封装24-TFBGA(6x8)