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IS25WP064D-JBLE 发布时间 时间:2025/12/28 18:20:17 查看 阅读:9

IS25WP064D-JBLE 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的串行闪存存储器(Serial NOR Flash)。该芯片的容量为64Mbit(8MB),采用标准的SPI、Dual SPI和Quad SPI接口,支持多种读写模式。IS25WP064D-JBLE 主要面向需要高可靠性、高效率存储的工业控制、车载系统、通信设备及嵌入式系统等应用领域。该器件采用8引脚SOIC或TSSOP封装,工作温度范围为-40°C至+105°C,适用于各种严苛环境。

参数

容量:64Mbit(8MB)
  接口类型:SPI, Dual SPI, Quad SPI
  工作电压:1.65V - 3.6V
  时钟频率:最高可达104MHz
  读取速度:最大104MHz
  编程/擦除电压:内部电荷泵
  编程页大小:256字节
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB 和整片擦除
  保持数据时间:20年
  擦写次数:10万次
  封装类型:8引脚 SOIC 或 TSSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +105°C

特性

IS25WP064D-JBLE 具有多种关键特性,确保其在复杂应用环境中的稳定性和性能。
  首先,该芯片支持多种接口模式(标准SPI、Dual SPI和Quad SPI),允许用户根据系统需求选择最合适的传输方式,提高数据吞吐量和系统效率。
  其次,IS25WP064D-JBLE 支持宽电压范围(1.65V至3.6V),使得其适用于多种电源配置的系统,增强了设计灵活性。
  此外,该芯片支持高速读取操作,最高可达104MHz,满足对数据访问速度有较高要求的应用场景。
  在存储管理方面,IS25WP064D-JBLE 提供了灵活的擦除选项,包括4KB、32KB、64KB块擦除和整片擦除,同时支持页编程(256字节/页),提高了存储管理的效率。
  其擦写寿命高达10万次,数据保持时间长达20年,确保长期可靠运行。
  该芯片采用8引脚SOIC或TSSOP封装,体积小巧,适合空间受限的设计。
  最后,-40°C至+105°C的宽工作温度范围,使其能够适应工业和车载等严苛环境下的运行需求。

应用

IS25WP064D-JBLE 主要应用于需要大容量、低功耗和高可靠性的嵌入式系统中。其典型应用包括:工业控制系统中的程序存储和数据记录;车载电子设备如仪表盘、行车记录仪和车载娱乐系统;通信设备中的固件存储;物联网设备中的代码存储和配置数据存储;消费类电子产品如智能家电、可穿戴设备和智能家居控制器等。此外,由于其宽温工作能力和高可靠性,也非常适合用于航空航天、安防监控和医疗电子等对稳定性要求极高的领域。

替代型号

W25Q64JV, MX25L6433F, S25FL164K, A25L064

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IS25WP064D-JBLE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格720 : ¥11.20774散装
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量64Mbit
  • 存储器组织8M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页40μs,800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.65V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC