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IS25WE512M-RMLE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:50:07 查看 阅读:52

IS25WE512M-RMLE-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的串行闪存(Serial Flash)芯片,容量为512Mb(64MB),采用高性能、低功耗的SPI(Serial Peripheral Interface)接口,适用于需要高可靠性和大存储容量的嵌入式系统应用。该芯片广泛用于网络设备、工业控制、通信设备、消费电子以及汽车电子等领域。

参数

容量:512Mb
  接口类型:SPI(单线/双线/四线)
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:8-Pin SOIC
  时钟频率:最大支持104MHz
  读取模式:支持单线、双线、四线输出模式
  编程/擦除电压:内部电荷泵
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB 及整片擦除
  写保护功能:软件与硬件写保护
  JEDEC 标准:支持 JEDEC JESD21-C 标准

特性

IS25WE512M-RMLE-TR 具备多项高性能特性,使其适用于多种嵌入式应用场景。该芯片支持高速SPI接口,最高时钟频率可达104MHz,提供快速的数据读取和写入能力。其支持多种读取模式,包括单线、双线和四线模式,满足不同系统对带宽的需求。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源设计环境,具备良好的电源适应性和稳定性。在工作温度方面,支持-40°C至+85°C的工业级温度范围,适用于高温和严苛环境下的稳定运行。
  IS25WE512M 提供灵活的擦除选项,包括4KB、32KB、64KB的小块擦除以及整片擦除,便于数据管理与更新。同时,该芯片具备软件和硬件写保护功能,有效防止误写入和数据损坏,提高系统的可靠性。
  此外,该器件符合JEDEC标准,封装为8-Pin SOIC,体积小巧,便于PCB布局与集成。其低功耗设计在待机模式下电流极低,适用于对功耗敏感的应用场景。

应用

IS25WE512M-RMLE-TR 主要用于需要大容量非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括固件存储(如Bootloader)、配置数据存储、图形与音频数据缓存、工业控制系统的参数保存、网络设备的固件升级、车载信息娱乐系统(IVI)以及智能电表等物联网(IoT)设备。
  在通信设备中,该芯片可作为固件存储单元,用于启动代码和系统配置的保存;在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒等,可用于存储系统引导程序和应用数据;在汽车电子中,该芯片可支持车载导航系统、摄像头模块以及ECU(电子控制单元)的程序存储。
  由于其高可靠性和宽温特性,该芯片也非常适合在工业自动化、医疗设备、安防监控等领域中使用,作为关键数据的长期存储介质。

替代型号

Winbond W25Q512JV, Micron N25Q512A, Cypress S25FL512S, Spansion S25FL512S

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IS25WE512M-RMLE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥62.12024卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量512Mb
  • 存储器组织64M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率112 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,1ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC