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IS25LQ080B-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 11:21:52 查看 阅读:22

IS25LQ080B-JNLE-TR 是一颗由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)制造的串行闪存(Serial NOR Flash)芯片,容量为8Mbit(1MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中,例如用于存储固件、引导代码、配置数据等。

参数

容量:8Mbit(1MB)
  接口类型:SPI
  工作电压:2.3V至3.6V
  最大时钟频率:80MHz
  封装类型:8引脚SOIC
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  读取模式:单线/双线/四线SPI
  写保护功能:软件和硬件写保护
  

特性

IS25LQ080B-JNLE-TR 芯片具有多种先进的功能和性能优势,使其适用于多种嵌入式应用场景。该芯片支持单线、双线和四线SPI模式,能够显著提高数据传输速率,适应高性能应用的需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V,具有宽电压适应性,适用于多种电源设计环境。芯片的最大时钟频率可达80MHz,确保了快速的数据读写能力。
  为了确保数据的可靠性,IS25LQ080B-JNLE-TR 支持硬件和软件写保护功能,可以防止意外写入或擦除操作,从而保护关键数据不被修改。此外,该芯片内置高可靠性存储单元,可支持高达10万次的擦写周期,并具有20年以上的数据保持能力,适合长期稳定运行的应用场合。
  该芯片采用小型8引脚SOIC封装,节省PCB空间,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级温度环境。IS25LQ080B-JNLE-TR 还内置状态寄存器,用于监控和控制芯片的操作状态,例如写保护状态、忙状态等,便于系统实时监控和管理。

应用

IS25LQ080B-JNLE-TR 适用于多种嵌入式系统和电子设备,如微控制器单元(MCU)的外部程序存储器、物联网(IoT)设备的固件存储、工业控制系统的配置存储、消费类电子产品中的引导代码存储等。其高速SPI接口和低功耗特性也使其适用于电池供电设备和需要快速启动的应用场景。此外,该芯片还可用于通信模块、传感器节点、智能家居设备等需要可靠非易失性存储的场合。

替代型号

MX25L8006E, W25Q80JV

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IS25LQ080B-JNLE-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织1M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页1ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC