IS25LQ010B-JNLE-TR 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存(Serial Flash)存储器芯片。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,适用于需要非易失性存储器的应用场景。IS25LQ010B 的容量为1Mbit,即128K字节,支持多种读写操作模式,包括单线、双线和四线SPI模式,提供更高的数据传输效率。其工作电压范围通常为2.3V至3.6V,适合多种嵌入式系统和便携式设备使用。
容量:1Mbit
接口类型:SPI(支持单线、双线、四线模式)
工作电压:2.3V - 3.6V
最大时钟频率:80MHz(典型值)
编程/擦除电压:内部电荷泵提供
擦除块大小:4KB、32KB、64KB 或整片擦除
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:8引脚 SOIC 或 TSSOP
IS25LQ010B-JNLE-TR 具有多个显著的性能和功能特性,使其在众多串行闪存产品中脱颖而出。
首先,该芯片支持高速SPI接口,最高时钟频率可达80MHz,极大地提升了数据读写速度,适用于对速度有要求的应用场景。
其次,IS25LQ010B 提供灵活的擦除选项,包括4KB、32KB、64KB 块擦除以及整片擦除功能,满足不同应用对数据更新粒度的需求。
此外,该芯片内置高可靠性存储单元,具有100,000次编程/擦除周期的耐久性,并支持20年数据保持能力,确保长期稳定的数据存储。
为了增强系统稳定性,IS25LQ010B 还支持软件和硬件写保护功能,防止意外数据修改或擦除,确保关键数据的安全性。
IS25LQ010B-JNLE-TR 还具有低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电设备使用。其工作温度范围为-40°C 至 +85°C,适用于工业级环境应用。
最后,该芯片采用标准的8引脚 SOIC 或 TSSOP 封装,便于PCB布局和焊接,兼容主流的表面贴装工艺。
IS25LQ010B-JNLE-TR 适用于多种嵌入式系统和便携式设备,如工业控制系统、网络设备、通信模块、智能卡终端、传感器节点、医疗设备、消费类电子产品等。其高速SPI接口和灵活的擦除选项使其非常适合用于存储固件、配置数据、日志信息等需要频繁更新的小容量数据存储场景。
IS25LQ010B-JNLE-TR 的替代型号包括 Winbond 的 W25Q10JV、Micron 的 N25Q0128A 和 GigaDevice 的 GD25Q10B。这些型号在容量、接口类型、封装形式和性能方面与 IS25LQ010B 相似,用户可根据具体需求选择合适的替代芯片。