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IS25LQ010B-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:53:01 查看 阅读:3

IS25LQ010B-JNLE-TR 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存(Serial Flash)存储器芯片。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,适用于需要非易失性存储器的应用场景。IS25LQ010B 的容量为1Mbit,即128K字节,支持多种读写操作模式,包括单线、双线和四线SPI模式,提供更高的数据传输效率。其工作电压范围通常为2.3V至3.6V,适合多种嵌入式系统和便携式设备使用。

参数

容量:1Mbit
  接口类型:SPI(支持单线、双线、四线模式)
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大时钟频率:80MHz(典型值)
  编程/擦除电压:内部电荷泵提供
  擦除块大小:4KB、32KB、64KB 或整片擦除
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC 或 TSSOP

特性

IS25LQ010B-JNLE-TR 具有多个显著的性能和功能特性,使其在众多串行闪存产品中脱颖而出。
  首先,该芯片支持高速SPI接口,最高时钟频率可达80MHz,极大地提升了数据读写速度,适用于对速度有要求的应用场景。
  其次,IS25LQ010B 提供灵活的擦除选项,包括4KB、32KB、64KB 块擦除以及整片擦除功能,满足不同应用对数据更新粒度的需求。
  此外,该芯片内置高可靠性存储单元,具有100,000次编程/擦除周期的耐久性,并支持20年数据保持能力,确保长期稳定的数据存储。
  为了增强系统稳定性,IS25LQ010B 还支持软件和硬件写保护功能,防止意外数据修改或擦除,确保关键数据的安全性。
  IS25LQ010B-JNLE-TR 还具有低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电设备使用。其工作温度范围为-40°C 至 +85°C,适用于工业级环境应用。
  最后,该芯片采用标准的8引脚 SOIC 或 TSSOP 封装,便于PCB布局和焊接,兼容主流的表面贴装工艺。

应用

IS25LQ010B-JNLE-TR 适用于多种嵌入式系统和便携式设备,如工业控制系统、网络设备、通信模块、智能卡终端、传感器节点、医疗设备、消费类电子产品等。其高速SPI接口和灵活的擦除选项使其非常适合用于存储固件、配置数据、日志信息等需要频繁更新的小容量数据存储场景。

替代型号

IS25LQ010B-JNLE-TR 的替代型号包括 Winbond 的 W25Q10JV、Micron 的 N25Q0128A 和 GigaDevice 的 GD25Q10B。这些型号在容量、接口类型、封装形式和性能方面与 IS25LQ010B 相似,用户可根据具体需求选择合适的替代芯片。

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IS25LQ010B-JNLE-TR产品

IS25LQ010B-JNLE-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量1Mb
  • 存储器组织128K x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页800μs
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC