时间：2025/12/28 18:16:41
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IS25LP01G-RILE-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能、低功耗的串行闪存存储器（Serial NOR Flash）。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，支持SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，适用于需要高可靠性和大容量非易失性存储的工业、消费类和汽车电子应用。IS25LP01G-RILE-TR 的存储容量为1Gb（即128MB），具有快速的读写速度和灵活的存储结构，支持多种工作电压（通常为1.65V至3.6V），适合低功耗设备的设计。
容量：1Gb
接口类型：SPI
工作电压：1.65V - 3.6V
最大时钟频率：104MHz
封装类型：8-TSSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
读取速度：最高可达104MHz
写入/擦除电压：内部电荷泵生成
擦除块大小：4KB、32KB、64KB 或整片擦除
数据保持时间：大于10年
擦写次数：10万次以上
IS25LP01G-RILE-TR 的一大优势在于其低功耗设计，支持多种低功耗模式，如深度掉电模式和休眠模式，使其非常适用于电池供电设备和便携式电子产品。该芯片具备高可靠性，支持10万次以上的擦写周期，并保证数据存储时间超过10年，适合长期数据存储的应用需求。
其SPI接口支持标准、双线和四线SPI模式，提供灵活的数据传输方式，并能与多种主控制器兼容。芯片内部集成了电荷泵电路，用于生成写入和擦除操作所需的高压，简化了系统设计，无需外部高压电源。
此外，IS25LP01G-RILE-TR 支持多种擦除粒度，包括4KB、32KB、64KB块擦除和全片擦除，便于开发者进行数据管理和更新。该芯片还具备写保护功能，包括软件和硬件写保护机制，有效防止误擦写和误编程，提高系统的稳定性与安全性。
该器件采用8引脚TSSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。其宽电压范围（1.65V至3.6V）使其适用于多种供电环境，增强了应用的灵活性。
IS25LP01G-RILE-TR 广泛应用于需要高可靠性、低功耗和大容量非易失性存储的各类嵌入式系统中。典型应用包括工业控制设备、智能仪表、消费类电子产品（如智能手表、耳机、智能家居设备）、车载电子系统（如车载导航、行车记录仪）、物联网（IoT）设备、固件存储（如路由器、机顶盒、安防摄像头）等。
由于其支持多种擦除块大小和灵活的接口模式，该芯片也常用于需要频繁更新固件或存储数据的应用场景，例如远程固件升级、数据日志记录等。在汽车电子领域，该芯片适用于需要满足AEC-Q100标准要求的存储模块设计。
此外，由于其具备宽温度工作范围（-40°C至+85°C），IS25LP01G-RILE-TR 适用于工业级和汽车级环境，能够在严苛的物理条件下稳定运行。
W25Q128JV, MX25U12355, S25FL128S, A25L010
