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IS25LP016D-JBLA3-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:29:25 查看 阅读:7

IS25LP016D-JBLA3-TR 是一颗由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司推出的高性能、低功耗的串行闪存(Serial Flash)芯片,属于其高性能串行 NOR Flash 存储器系列。该芯片的存储容量为16Mbit(2MB),采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,适用于需要非易失性存储器的应用场景,例如嵌入式系统、固件存储、数据记录等。IS25LP016D-JBLA3-TR 的封装形式为8引脚的SOIC(Small Outline Integrated Circuit),适合工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),具有高可靠性和稳定性。

参数

容量:16 Mbit(2MB)
  接口类型:SPI(Serial Peripheral Interface)
  工作电压:2.3V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  读取频率:最大 80 MHz
  编程/擦除电压:3V
  存储单元组织:256 字节/页,64KB 扇区,32KB 块
  擦除时间:1ms 典型值(页擦除)
  写入时间:1.3ms 典型值(页编程)

特性

IS25LP016D-JBLA3-TR 具有多种显著特性,首先其低功耗设计适用于电池供电或对功耗敏感的系统应用。芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,可以有效减少系统能耗。其次,该器件采用高性能的SPI接口,最大读取频率可达80MHz,确保了快速的数据访问能力,适用于实时系统和高速缓存应用。
  在存储组织方面,IS25LP016D-JBLA3-TR 提供了灵活的擦除和编程机制。其内部将存储空间划分为256字节的页面,支持页编程和页擦除操作,擦除时间仅为1ms左右,写入时间约1.3ms,显著提高了操作效率。此外,该芯片支持多种擦除粒度,包括64KB扇区擦除和32KB块擦除,满足不同应用场景的灵活性需求。
  该芯片还具备高可靠性,支持超过10万次的擦写循环,并提供20年以上的数据保持能力。其内置的错误校验机制和ECC(Error Correction Code)功能增强了数据的完整性和可靠性。此外,IS25LP016D-JBLA3-TR 支持多种安全功能,包括软件写保护、硬件写保护引脚(WP#)以及顶部或底部块保护配置,有效防止意外擦除或写入,保障系统固件的安全性。
  值得一提的是,该芯片符合RoHS环保标准,并具备良好的抗干扰能力和稳定性,适用于工业自动化、通信设备、消费电子、汽车电子等复杂环境下的应用。

应用

IS25LP016D-JBLA3-TR 适用于多种嵌入式系统和非易失性存储应用,包括但不限于:工业控制设备(如PLC、传感器模块、HMI界面)中的固件存储;通信设备(如路由器、交换机、无线基站)中的启动代码和配置数据存储;消费类电子产品(如智能穿戴设备、智能家电)中的程序存储和数据记录;汽车电子系统(如仪表盘、ADAS模块、车载娱乐系统)中的固件更新和参数存储;医疗设备中的诊断数据保存和设备校准信息存储等。其高可靠性、低功耗和灵活的擦写机制,使其成为对存储性能和稳定性有较高要求的应用场景的理想选择。

替代型号

Winbond W25Q16JV, Spansion S25FL116K, Micron N25Q128A, Cypress CY15B104Q

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IS25LP016D-JBLA3-TR产品

IS25LP016D-JBLA3-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥7.42029卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页40μs,800μs
  • 访问时间7 ns
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC