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IS25LE01G-RILE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:24:57 查看 阅读:50

IS25LE01G-RILE-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能、低功耗的串行闪存(Serial Flash)存储器芯片。该芯片采用 SPI(Serial Peripheral Interface)接口,具有1Mbit(128K x 8)的存储容量,适用于各种嵌入式系统和代码存储应用场景。IS25LE01G-RILE-TR 采用标准的 8 引脚 SOIC 封装,工作温度范围为工业级 -40°C 至 +85°C,适用于工业控制、通信设备、消费电子等环境较为严苛的应用场景。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:128K x 8
  电压范围:2.3V 至 3.6V
  接口类型:SPI
  时钟频率:最大支持 50MHz
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8 引脚 SOIC
  封装尺寸:150 mil
  写保护功能:支持硬件写保护(WP# 引脚)
  状态寄存器锁定:支持状态寄存器锁定功能
  擦除时间:最大 30ms(块擦除)
  编程时间:最大 3ms(页编程)

特性

IS25LE01G-RILE-TR 的核心特性之一是其低功耗设计,适用于电池供电设备和对能耗敏感的应用。芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,从而有效延长设备的续航时间。
  其 SPI 接口支持标准的读写操作,包括快速读取(Fast Read)、页编程(Page Program)以及块擦除(Block Erase)等功能,提升了数据操作的灵活性和效率。SPI 接口的高速特性(最高支持 50MHz 时钟频率)使得数据传输速度更快,适用于实时数据存储和代码执行场景。
  该芯片内置硬件写保护功能,通过 WP# 引脚实现对特定存储区域的写入保护,防止关键数据被意外修改或擦除。此外,芯片支持状态寄存器锁定功能,确保在系统上电或复位后,写保护和配置状态不会被更改,提高了系统的稳定性和安全性。
  IS25LE01G-RILE-TR 采用高性能的 CMOS 工艺制造,具有良好的抗干扰能力和可靠性,适用于高温、低温等复杂环境。其擦除和编程操作时间较短,分别在 30ms 和 3ms 以内完成,大大提高了系统响应速度和数据处理效率。

应用

IS25LE01G-RILE-TR 主要应用于需要代码存储和数据存储的嵌入式系统中,如工业自动化控制系统、通信设备、医疗电子设备、消费类电子产品、汽车电子系统等。在工业控制领域,该芯片可用于存储 PLC 程序、固件更新代码以及设备配置信息;在通信设备中,可作为网络设备的引导存储器,用于存储启动代码和配置数据;在消费电子产品中,可用于存储用户设置、固件代码和临时数据。此外,由于其低功耗特性和工业级温度范围,IS25LE01G-RILE-TR 也非常适合用于智能电表、安防设备、远程传感器等长期运行的嵌入式系统中。

替代型号

SST25VF016B-50-4I-S2AF, MX25L1605D-40G DI, W25Q128JV-IQ

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IS25LE01G-RILE-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥93.64497卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR(SLC)
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI,DTR
  • 时钟频率133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,1ms
  • 访问时间8 ns
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-LBGA
  • 供应商器件封装24-LFBGA(6x8)