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IS25LD020-JNLE-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:21:57 查看 阅读:29

IS25LD020-JNLE-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的串行闪存存储器芯片。该芯片主要用于嵌入式系统、存储设备以及其他需要非易失性存储器的应用场景。其主要功能是存储固件、程序代码以及数据信息,适用于需要高可靠性和高性能的应用环境。

参数

容量: 2Mbit(256K x 8)
  接口类型: SPI(串行外设接口)
  工作电压: 2.3V至3.6V
  时钟频率: 最高可达80MHz
  擦除块大小: 4KB(扇区擦除)和64KB(块擦除)
  编程时间: 页编程时间为1.5ms(最大)
  擦除时间: 扇区擦除时间为40ms(最大),块擦除时间为40ms(最大)
  封装形式: 8引脚SOIC
  工作温度范围: -40°C至+85°C

特性

IS25LD020-JNLE-TR具有多种高性能特性,包括高速SPI接口,支持高达80MHz的时钟频率,这使得数据传输速率显著提高,适用于需要快速读取和写入的应用场景。芯片内部集成了页编程和擦除功能,页编程的最大时间为1.5ms,而扇区擦除和块擦除的最大时间均为40ms,这有助于减少写入和擦除操作的时间,提高整体效率。
  该芯片的存储容量为2Mbit,分为多个可编程和可擦除的块,提供了灵活的存储管理方式。它支持4KB扇区擦除和64KB块擦除两种模式,允许用户根据需要选择合适的擦除粒度,从而优化存储空间的使用。此外,芯片的低功耗设计使其适用于对能耗敏感的应用,例如便携式设备和电池供电系统。
  IS25LD020-JNLE-TR的工作电压范围为2.3V至3.6V,这使其兼容多种电源供应方案,并增强了在不同工作环境下的适应性。其封装形式为8引脚SOIC,这种封装方式不仅节省空间,还便于在PCB上进行焊接和布局。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,确保了在极端温度条件下依然能够稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
  此外,该芯片支持多种保护机制,包括硬件写保护和软件写保护,防止意外的数据修改和丢失,从而提高了数据的安全性和可靠性。这些特性使得IS25LD020-JNLE-TR成为嵌入式系统、网络设备、消费电子以及其他需要高性能非易失性存储器的领域的理想选择。

应用

IS25LD020-JNLE-TR广泛应用于需要非易失性存储器的嵌入式系统中,例如工业控制系统、智能仪表、网络设备以及消费电子产品。其高速SPI接口和低功耗特性使其非常适合用于固件存储、程序代码存储以及小型数据存储任务。此外,该芯片还可用于需要可靠存储和快速访问的汽车电子系统,例如车载导航设备和车载娱乐系统。

替代型号

IS25LH020-JNLE-TR, MX25L2006E, SST25VF020B

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IS25LD020-JNLE-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术闪存
  • 存储容量2Mb
  • 存储器组织256K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率100 MHz
  • 写周期时间 - 字,页5ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC