您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRW840B

IRW840B 发布时间 时间:2025/8/25 3:59:01 查看 阅读:7

IRW840B是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道功率MOSFET,设计用于高效率和高可靠性的电源管理应用。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优异的热性能,适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关以及工业自动化等场景。IRW840B采用TO-252(DPAK)封装形式,便于在PCB上安装并具备良好的散热能力。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):40V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):80A
  功耗(Pd):225W
  导通电阻(Rds(on)):最大5.3毫欧(在Vgs=10V时)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

IRW840B具有多项优异的电气和热特性,确保其在苛刻环境中稳定运行。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率,特别适用于高频率开关应用。
  其次,该MOSFET具备高电流承载能力,可在高负载条件下稳定运行,确保系统可靠性。
  此外,IRW840B采用了先进的封装技术,具备优异的散热性能,有助于降低结温并延长器件寿命。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过压条件下保持稳定,避免损坏。
  最后,IRW840B的栅极驱动电压范围较宽(可支持4.5V至20V),兼容多种驱动电路设计,增强了应用的灵活性。

应用

IRW840B广泛应用于需要高效功率控制的各类电子系统中。在DC-DC转换器中,它能够实现高效率的能量转换,适用于服务器电源、通信设备和工业自动化系统。在电机控制领域,IRW840B可用于驱动直流电机和步进电机,提供稳定的电流输出和快速的开关响应。此外,该器件还可用于电源开关、负载管理、电池管理系统(BMS)以及新能源汽车相关设备。其高可靠性和优异的热性能也使其成为汽车电子、工业电源和消费类电子产品中理想的功率开关元件。

替代型号

IRF3205, IRF1405, IRF3710, SiR840DP

IRW840B推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价