时间：2025/9/3 21:49:32
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IRSM836-084MATR是一款由Infineon Technologies（英飞凌）推出的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）模块，专为高效率电源转换和功率管理应用设计。该模块采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻和高效的开关性能，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池供电设备等领域。
漏极-源极电压(Vds)：80V
漏极-源极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：16mΩ
栅极电荷(Qg)：17nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerPAK SO-8双封装
技术类型：沟槽式MOSFET
IRSM836-084MATR具备多项优异特性，使其在各种高要求的应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为16mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗较低，从而提高了整体系统的能效。此外，该模块的漏极-源极电压（Vds）额定值为80V，漏极-源极电流（Id）为8A，这使其能够承受较高的电压和电流负载，适合中高功率的电源转换应用。
其次，该MOSFET模块采用了PowerPAK SO-8双封装技术，这种封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热管理和电气性能。其高功率密度设计有助于减少PCB空间占用，同时确保了良好的散热能力，从而提高了器件的可靠性和寿命。
另外，IRSM836-084MATR的栅极电荷（Qg）为17nC，这一较低的栅极电荷值有助于降低开关损耗，提高开关频率，从而实现更高的系统效率。这对于高频开关电源、DC-DC转换器等应用尤为重要。同时，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具有良好的热稳定性，适用于各种严苛的工作环境。
此外，IRSM836-084MATR还具有优异的抗雪崩能力和短路保护特性，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。这种高鲁棒性使其在工业自动化、通信设备、汽车电子等高可靠性要求的应用中具有广泛的应用前景。
IRSM836-084MATR广泛应用于多个领域，包括但不限于DC-DC转换器、电机驱动电路、电源管理系统、电池充电器、UPS不间断电源、服务器电源、工业自动化设备、通信设备以及电动汽车的功率控制系统等。其高效能、高可靠性和紧凑的设计使其成为各种高功率密度和高效率要求的应用中的理想选择。
SiR862ADP-T1-GE3, FDS8958, IPB080N04NG
