IRSM836-044MA是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道功率MOSFET,采用DPAK封装。该器件主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等应用领域。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合于高效能要求的场景。
该MOSFET通过优化设计降低了导通损耗和开关损耗,同时具备出色的热性能,确保在高负载条件下稳定运行。
最大漏源电压:45V
连续漏极电流:29A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:25nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至175℃
IRSM836-044MA具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少功耗并提高效率。
2. 高电流承载能力,支持高达29A的连续漏极电流,适用于大功率应用场景。
3. 采用DPAK封装,具备良好的散热性能,适合高密度设计。
4. 快速开关性能,可有效降低开关损耗。
5. 宽广的工作温度范围(-55℃至175℃),保证了在极端环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
这款MOSFET广泛应用于各种工业和消费类电子产品中,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关或同步整流元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 汽车电子系统的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 高效DC-DC转换器的核心功率器件。
IRL8743PBF, IRF8405TRPBF