类型：半桥栅极驱动器
　　封装形式：SO-8
　　通道数：2（高边+低边）
　　最大耐压（BST引脚）：600 V
　　电源电压范围（VCC）：10 V 至 20 V
　　逻辑输入电压兼容性：TTL/CMOS 兼容
　　峰值输出电流：±200 mA（典型值）
　　传播延迟时间：约200 ns（典型值）
　　上升时间（典型值）：35 ns
　　下降时间（典型值）：25 ns
　　输入逻辑极性：反相输入（IN引脚）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　自举二极管：内置
　　欠压锁定（UVLO）：有，双通道独立检测
　　隔离电压（IC内部）：1500 Vrms（典型）
　　开关频率支持：可达数百kHz级别

IRS2607DS的高性能驱动架构基于先进的高压电平移位技术，能够在高频开关环境下稳定工作。其高边驱动采用自举电容供电方式，通过内部集成的自举二极管连接至VS和VB引脚，极大简化了外部电路设计，减少了元器件数量并提升了系统的紧凑性。该芯片的输入级设计支持TTL和CMOS逻辑电平，输入阈值电压约为2.0V左右，确保与大多数数字控制器的良好兼容性。更重要的是，IRS2607DS内部集成了互锁逻辑电路，即使在输入信号发生重叠或干扰的情况下，也能有效防止高低边输出同时导通，避免桥臂短路造成的灾难性故障。这种防直通机制显著增强了系统的安全性，尤其适用于对可靠性要求较高的工业控制和电机驱动场合。
　　另一个关键特性是其强大的抗dv/dt噪声抑制能力。在高频率、高电压切换过程中，功率回路中会产生强烈的电磁干扰，导致虚假触发或误动作。IRS2607DS通过优化内部电路布局和采用高共模瞬态抗扰度（CMTI）设计，能够承受高达±50 kV/μs的电压变化率而不影响正常工作，从而保障系统在恶劣电气环境下的稳定运行。此外，芯片内置的欠压锁定功能为每个驱动通道独立配置，当VCC或VB电压低于安全阈值时，对应通道的输出将被强制拉低，防止因供电不足导致的栅极驱动不充分问题。这一机制不仅能保护功率器件免受损坏，还能避免系统启动过程中的异常行为。
　　IRS2607DS还具备快速响应能力和低传播延迟偏差，确保上下桥臂之间的开关时序高度一致，这对于需要精确控制死区时间的应用至关重要。例如，在PWM调制系统中，较小的传播延迟差异有助于减少输出波形失真，提高能效。同时，其输出级采用图腾柱结构，提供较强的灌电流和拉电流能力，可快速充放电MOSFET栅极电容，降低开关损耗，提升整体效率。SO-8封装不仅节省PCB空间，而且具备良好的散热性能，适合高密度集成设计。综合来看，IRS2607DS以其高集成度、高可靠性和优异的动态性能，成为中小功率电力电子系统中理想的栅极驱动解决方案。

IRS2607DS广泛应用于各类需要半桥结构驱动的电力电子系统中。在开关电源领域，它常用于有源PFC（功率因数校正）电路、LLC谐振变换器及DC-DC转换器中，作为MOSFET或IGBT的驱动核心，实现高效能量转换。在电机控制系统中，如家用电器中的BLDC（无刷直流电机）驱动、空调压缩机控制、风扇调速模块等，IRS2607DS能够配合主控芯片完成精确的三相或单相逆变驱动，保证电机平稳运行并降低能耗。此外，在太阳能微型逆变器、UPS不间断电源、小型光伏逆变设备中，该芯片也发挥着重要作用，用于构建高效的DC-AC转换桥式电路。由于其具备高耐压和良好的噪声抑制能力，IRS2607DS同样适用于工业自动化设备中的伺服驱动器、步进电机控制器以及小型变频器等产品。在消费类电子产品方面，诸如LED恒流驱动电源、笔记本电脑适配器、充电站电源模块等也都可能采用此类驱动IC来提升系统效率和可靠性。得益于其紧凑的封装和无需光耦的设计优势，IRS2607DS特别适合对体积敏感且追求高集成度的应用场景。同时，其宽温工作范围和坚固的电气特性使其能够在工业级环境条件下长期稳定运行，满足严苛的应用需求。无论是批量生产还是原型开发，IRS2607DS都提供了成熟可靠的解决方案，帮助工程师缩短开发周期并提升产品竞争力。

IR2107S
　　IRS21844
　　UCC27531