类型：半桥栅极驱动器
　　通道类型：高边和低边
　　输出电流峰值：640mA（源电流）/ 1.3A（灌电流）
　　工作电压范围（VDD）：10V 至 20V
　　逻辑输入电压兼容性：3.3V, 5V, 15V
　　最大开关频率：典型值可达500kHz
　　传播延迟时间：典型值约250ns
　　上升时间（tr）：典型值50ns
　　下降时间（tf）：典型值40ns
　　共模瞬态抗扰度（CMTI）：大于100kV/μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8-SOIC（小外形集成电路封装）
　　自举二极管集成：无（需外接）
　　欠压锁定（UVLO）阈值：高端与低端分别独立监测，启动阈值约为11.8V，关断迟滞约2V

IRS2308S具备出色的电气隔离与电平位移能力，能够实现高压侧与低压侧之间的信号传输。其内置的电平位移技术允许低边逻辑信号被准确传递至高边驱动端，即使在母线电压高达数百伏的情况下仍能可靠工作。这种设计特别适用于需要浮动高边驱动的应用场景，例如三相逆变器中的上桥臂MOSFET驱动。
　　该芯片的输入接口具有施密特触发器特性，增强了对噪声的抑制能力，确保在恶劣电磁环境下也能保持稳定的逻辑判断。输入引脚支持TTL和CMOS电平兼容，可直接连接微控制器、DSP或PWM控制器输出，简化了系统设计。
　　IRS2308S的输出级采用推挽结构，提供快速的上升和下降响应，有效缩短功率器件的开关过渡时间，从而降低开关损耗并提升系统效率。同时，较高的灌电流能力（最高达1.3A）使其能够迅速放电MOSFET栅极电容，避免误导通风险。
　　器件内部集成多重保护机制，尤其是独立的高低边欠压锁定（UVLO）电路，能够在电源异常时及时封锁输出，防止由于驱动电压不足导致的功率管部分导通而引发的短路故障。此外，其高共模瞬态抗扰度（CMTI）指标表明其在存在快速电压变化的环境中仍能维持信号完整性，避免误触发。
　　IRS2308S还具备良好的热稳定性与长期可靠性，符合工业级应用标准。其封装形式经过优化，具有较低的寄生电感和良好的散热性能，适合在紧凑型高密度电源模块中使用。

IRS2308S常用于各类需要半桥驱动架构的电力电子系统中。典型应用包括无刷直流电机（BLDC）驱动器、永磁同步电机（PMSM）控制器以及家用电器中的风扇和压缩机驱动电路。在这些应用中，它负责将来自控制器的PWM信号转换为足以驱动功率开关管的栅极电压。
　　在开关电源领域，尤其是LLC谐振变换器、有源钳位反激式转换器等高效拓扑中，IRS2308S可用于驱动主功率开关对，实现高效率的能量转换。其高频响应能力和低传播延迟特性有助于提升电源的整体动态响应与效率表现。
　　此外，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电动车车载充电机（OBC）等新能源系统中，IRS2308S也被广泛采用，作为DC-AC或DC-DC转换环节的核心驱动组件。其高抗干扰能力和宽温工作范围使其能在复杂工况下稳定运行。
　　在工业自动化设备中，如伺服驱动器、变频器和焊接电源中，IRS2308S同样发挥着关键作用，确保功率级精确受控，保障系统安全与性能一致性。

IR2104S
　　IRS21844
　　UCC27531