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IRS21271STRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 13:14:01 查看 阅读:7

IRS21271STRPBF是英飞凌(Infineon)推出的高压半桥驱动器芯片,采用SOIC-8封装形式。该芯片专为功率MOSFET和IGBT的栅极驱动设计,能够提供高侧和低侧驱动输出。它集成了自举二极管,简化了电路设计,并支持高达600V的工作电压,适用于多种开关电源、电机驱动和其他功率转换应用。
  IRS21271STRPBF基于IRS2127系列技术,具备较强的抗噪声能力,同时具有固定死区时间控制功能以防止直通电流。其输入端兼容标准CMOS或LSTTL逻辑电平,便于与各种控制器接口。

参数

工作电压:15V至600V
  驱动电流:峰值源/汲电流±4A
  传播延迟:典型值90ns
  死区时间:典型值120ns
  输入逻辑电平:3.3V或5V兼容
  工作温度范围:-40°C至125°C
  封装形式:SOIC-8

特性

IRS21271STRPBF是一款高性能的半桥驱动器,主要特性包括:
  1. 高压浮置通道支持高达600V的操作环境,确保在大功率系统中的可靠性。
  2. 内置自举二极管,减少了外部元件数量,降低了整体方案成本。
  3. 具有短路保护和欠压锁定(UVLO)功能,增强了系统的安全性和稳定性。
  4. 输入端兼容3.3V或5V CMOS/LSTTL逻辑电平,适合现代微控制器或DSP。
  5. 固定死区时间控制有效避免了高侧和低侧开关之间的交叉导通问题。
  6. 小型SOIC-8封装,节省PCB空间,适合紧凑型设计。
  该芯片广泛应用于需要高效驱动功率开关的应用场景,例如变频器、逆变器、DC-DC转换器等。

应用

IRS21271STRPBF适用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动控制
  3. 逆变器模块
  4. DC-DC转换器
  5. LED照明驱动
  6. 工业自动化设备
  其强大的驱动能力和内置保护机制使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

IRS2127S, IRS2127, IRS21271STRH

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IRS21271STRPBF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间150ns
  • 电流 - 峰290mA
  • 配置数1
  • 输出数1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压9 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRS21271STRPBFTR