类型：半桥栅极驱动器
　　通道类型：独立通道
　　输出类型：图腾柱
　　工作电压（VDD）：10V ~ 20V
　　输入电压逻辑兼容性：TTL/CMOS
　　最大开关频率：500kHz
　　传播延迟：典型值约200ns
　　上升时间：典型值约40ns
　　下降时间：典型值约30ns
　　峰值输出电流：275mA
　　高边耐压（VB vs VS）：最大600V
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOIC-8
　　绝缘电压：非隔离式
　　引脚数：8
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是

IRS2004TRPBF的核心特性之一是其集成化的高边与低边驱动架构，采用高压电平位移技术实现高边驱动信号的准确传递。这种设计允许高边输出跟随浮动电源（由自举二极管和电容构成），从而在不使用独立隔离电源的情况下完成对N沟道MOSFET的有效驱动。此技术显著降低系统复杂度与成本，同时提升整体可靠性。该芯片支持高达600V的总线电压，可在工业级温度范围（-40°C至+150°C）内稳定运行，适应各种严苛环境条件。其输入端兼容TTL及CMOS逻辑电平，便于与微控制器、DSP或PWM控制器直接接口，无需额外电平转换电路。
　　另一个关键特性是其内置的欠压锁定（UVLO）保护机制，分别针对高边和低边电源进行监控。当VCC或VB电压低于设定阈值时，输出将被强制拉低，防止因驱动能力不足而导致的MOSFET工作在线性区，进而造成过热损坏。该功能具有迟滞特性，增强了抗干扰能力。此外，IRS2004TRPBF具备快速传播响应能力，典型传播延迟仅为200ns左右，确保高频开关操作下的精确时序控制，适用于最高达500kHz的PWM调制应用。
　　该器件还优化了输出级设计，采用图腾柱结构提供高达275mA的峰值源电流和350mA的峰值灌电流能力，能快速充放电MOSFET栅极电容，减少开关损耗，提高能效。输出之间设有互锁逻辑，有效防止上下桥臂同时导通引发的“击穿”现象。芯片内部还包括二极管自举功能支持电路，简化外部元件选型。SOIC-8封装形式不仅节省PCB空间，而且具备良好的热性能和电气隔离特性，适合自动化贴片生产流程。整体设计兼顾高性能、高可靠性和易用性，是现代功率电子系统中理想的驱动选择。

IRS2004TRPBF广泛用于需要驱动半桥或全桥拓扑结构中N沟道功率MOSFET或IGBT的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS），如服务器电源、通信电源和工业电源模块，在这些系统中，它用于控制功率级的上下桥臂，实现高效的DC-DC或AC-DC转换。在电机驱动领域，该芯片常用于直流无刷电机（BLDC）、永磁同步电机（PMSM）以及家用电器中的风扇和压缩机控制，配合微控制器生成的PWM信号精确调控电机转速与扭矩。
　　此外，IRS2004TRPBF也适用于逆变器系统，例如太阳能逆变器、UPS不间断电源和变频器等设备，其中需要高效率、高可靠性的栅极驱动来保证交流输出质量。在感应加热、电磁炉和电子镇流器等消费类和工业类产品中，该器件同样表现出色。由于其支持高达600V电压等级，因此也可用于空调、洗衣机、冰箱等白色家电中的压缩机驱动模块。其紧凑的SOIC-8封装使其非常适合空间受限的设计，而高噪声抑制能力和宽温度范围则保障了在复杂电磁环境下的长期稳定运行。总之，凡是涉及高压、高频开关控制的应用场景，IRS2004TRPBF均能提供稳定可靠的驱动支持。

IR2104S
　　IRS2104
　　IRS21844
　　MIC4427A