IRM067U6 时间：2025/8/27 18:59:46 阅读：23

IRM067U6是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET。这款MOSFET适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等。IRM067U6采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和出色的热性能，能够在高电流条件下保持稳定运行。该器件的封装形式为PG-TSDSO-8-4，是一种小型化、高性能的表面贴装封装，适合高密度电路设计。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（在Tc=100℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：6.7mΩ（最大值，VGS=10V）
　　功率耗散：48W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：PG-TSDSO-8-4

特性

IRM067U6的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得器件在高电流条件下能够减少功率损耗，提高效率。该MOSFET的沟槽技术不仅降低了RDS(on)，还优化了开关性能，从而减少了开关损耗，提高了整体系统的能效。
　　另一个关键特性是其高电流承载能力。IRM067U6能够在高达120A的连续漏极电流下工作，适合需要高功率密度的设计。此外，该器件具有良好的热管理能力，其封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。
　　IRM067U6的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅源电压，这使得其在不同的驱动条件下都能保持稳定的工作状态。该MOSFET还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间的过载或短路情况下保护电路系统不受损害。
　　此外，IRM067U6采用了小型化的表面贴装封装（PG-TSDSO-8-4），适合自动化生产流程，降低了制造成本，并提高了PCB布局的灵活性。该封装形式具有良好的电气连接性能，适用于高频开关应用。

应用

IRM067U6广泛应用于各种高性能电源管理系统中。在DC-DC转换器中，IRM067U6的低导通电阻和高电流能力使其成为高效降压或升压转换器的理想选择。在负载开关电路中，该MOSFET可以实现快速的开关控制，减少待机功耗并提高系统的可靠性。
　　此外，IRM067U6也常用于电机控制和电池管理系统。在电机驱动应用中，其高电流能力和良好的热性能能够支持高扭矩电机的稳定运行。在电池管理系统中，该MOSFET可用于电池保护电路，确保电池在充放电过程中的安全性和效率。
　　在工业自动化和服务器电源管理中，IRM067U6同样具有广泛的应用前景。其小型化封装和高功率密度特性使其非常适合用于紧凑型电源模块和高密度电路板设计。