IRM065U7 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的一款高性能功率 MOSFET 晶体管,采用先进的 Trench MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和优异的热性能。IRM065U7 特别适用于需要高效率和高功率密度的开关电源、同步整流、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):100A(在25°C时)
最大漏极-源极电压(VDS):60V
最大栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大6.5毫欧(典型值为5毫欧)
功率耗散(PD):200W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:PowerPAK SO-8
IRM065U7 的主要特性之一是其极低的导通电阻(RDS(on)),这显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。该器件采用了英飞凌先进的 Trench MOSFET 技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,从而在高频应用中表现出色。
此外,IRM065U7 采用 PowerPAK SO-8 封装,具有优良的热管理性能,能够在高电流负载下保持较低的工作温度,提高系统的可靠性和寿命。这种封装还具有较小的封装尺寸,非常适合空间受限的设计应用。
该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V,允许使用标准的 10V 或 12V 驱动电路,同时也支持较低的栅极驱动电压(如 4.5V 或 6V)操作,适用于多种栅极驱动器配置。
IRM065U7 还具备高耐用性和良好的雪崩能量承受能力,能够在极端工作条件下提供更高的安全裕度。此外,其快速的开关特性使其适用于高频开关应用,如同步整流、DC-DC 转换器和电机控制电路。
IRM065U7 主要应用于高性能电源管理系统中,包括同步整流器、DC-DC 降压和升压转换器、电池管理系统、服务器电源、电信电源、工业自动化设备以及电动工具和电动车控制器等。该器件的低导通电阻和高效率特性,使其在高功率密度设计中成为理想选择,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。IRM065U7 还适用于负载开关、马达驱动和电源分配系统,能够有效减少能量损耗并提升整体系统性能。
SiR178DP, IRF6723, CSD17501QPA, SQJA80E