IRM065U7 时间：2025/8/28 4:27:36 阅读：29

IRM065U7 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的一款高性能功率 MOSFET 晶体管，采用先进的 Trench MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和优异的热性能。IRM065U7 特别适用于需要高效率和高功率密度的开关电源、同步整流、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A（在25°C时）
　　最大漏极-源极电压（VDS）：60V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大6.5毫欧（典型值为5毫欧）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

IRM065U7 的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。该器件采用了英飞凌先进的 Trench MOSFET 技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而在高频应用中表现出色。
　　此外，IRM065U7 采用 PowerPAK SO-8 封装，具有优良的热管理性能，能够在高电流负载下保持较低的工作温度，提高系统的可靠性和寿命。这种封装还具有较小的封装尺寸，非常适合空间受限的设计应用。
　　该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用标准的 10V 或 12V 驱动电路，同时也支持较低的栅极驱动电压（如 4.5V 或 6V）操作，适用于多种栅极驱动器配置。
　　IRM065U7 还具备高耐用性和良好的雪崩能量承受能力，能够在极端工作条件下提供更高的安全裕度。此外，其快速的开关特性使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和电机控制电路。

应用

IRM065U7 主要应用于高性能电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 降压和升压转换器、电池管理系统、服务器电源、电信电源、工业自动化设备以及电动工具和电动车控制器等。该器件的低导通电阻和高效率特性，使其在高功率密度设计中成为理想选择，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。IRM065U7 还适用于负载开关、马达驱动和电源分配系统，能够有效减少能量损耗并提升整体系统性能。