类型：功率MOSFET模块
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为2.3mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷(Qg)：约70nC
　　封装形式：表面贴装（SMD），具体为双排扁平无引线封装（DFN）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　安装方式：表面贴装
　　封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册

IRM-H338M3/TR2具备多项优异的电气和机械特性。其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用的沟槽栅极技术不仅提高了电流密度，还增强了开关性能，使得在高频操作下也能保持较低的开关损耗。
　　此外，IRM-H338M3/TR2具有良好的热管理能力，得益于其先进的封装技术和低热阻设计，能够在高负载条件下保持稳定运行，延长器件寿命。
　　该模块的高雪崩能量耐受能力确保了在突发过载或瞬态电压情况下仍能保持可靠工作。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的应用场合。
　　IRM-H338M3/TR2的高可靠性使其在恶劣工业环境中表现出色，如高温、高湿度和振动环境下均能保持稳定性能。

IRM-H338M3/TR2广泛应用于各种高功率电子系统中。其典型应用包括但不限于：
　　1. DC-DC转换器：用于通信设备、服务器电源和工业控制系统的高效能电源模块。
　　2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中，提供高效、紧凑的功率控制方案。
　　3. 电源管理系统：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）中，实现高效的能量转换与管理。
　　4. 工业自动化设备：用于工业机器人、PLC（可编程逻辑控制器）和自动化测试设备（ATE）等需要高可靠性和高效率功率开关的场合。
　　5. 汽车电子：适用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载娱乐系统等汽车电源管理应用。

SiMOS338M3-100E120K；IRFS4338M3TRPBF；IPD338M3-100E120K