时间：2025/8/29 3:18:54
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IRM-8752M2 是一款由 IR（International Rectifier，现为 Infineon Technologies）公司生产的双路N沟道功率MOSFET模块。该模块采用先进的功率封装技术，具有优异的热性能和电气性能，适用于高功率、高频开关应用。IRM-8752M2 主要用于电机控制、电源转换、逆变器和工业自动化系统等场合，提供高效的功率管理解决方案。
类型：功率MOSFET模块
通道数：双路N沟道
最大漏源电压（VDS）：100V
最大漏极电流（ID）：80A（单路）
导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ（典型值）
封装形式：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
栅极驱动电压：10V（推荐）
最大功耗：100W（每个MOSFET）
IRM-8752M2 模块采用了先进的功率封装技术和高性能的MOSFET芯片，具备极低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著降低开关损耗和导通损耗。其双路N沟道结构设计使得在高功率应用中实现高效的双向控制成为可能。此外，该模块具有优异的热管理性能，能够在高电流和高温环境下稳定工作，提高了系统的可靠性和寿命。IRM-8752M2 还内置了热保护和过流保护功能，确保在异常工作条件下器件的安全运行。
该模块的封装设计支持高集成度和紧凑的PCB布局，减少了寄生电感和电磁干扰（EMI），从而提高了系统的整体性能。IRM-8752M2 在设计上兼顾了高效率和高可靠性，是工业电机控制、电动车辆驱动、太阳能逆变器和高功率DC-DC转换器等应用的理想选择。
IRM-8752M2 主要应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。例如，它广泛用于电动车辆的电机驱动器、工业自动化设备的功率模块、太阳能逆变器以及各种高功率DC-DC转换器。由于其出色的电气性能和热稳定性，也常用于高频开关电源和伺服控制系统中，为系统提供高效、稳定的功率管理解决方案。
IRM-8753M2, IRF6721, SiR872DP, IPP075N10N3 G
