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IRLZ44NSTRR 发布时间 时间:2025/7/4 4:21:56 查看 阅读:20

IRLZ44NSTRR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沃特 (N-Channel) 增强型功率 MOSFET,属于逻辑电平驱动系列。这款 MOSFET 专为低电压应用设计,具有较低的导通电阻和快速开关特性,非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场合。
  该器件采用 TO-252 封装形式(也称为 DPAK),能够提供出色的散热性能,并且其逻辑电平驱动能力使得它可以直接与微控制器或其他低电压信号源连接。

参数

最大漏源极电压:55V
  最大连续漏极电流:30A
  最大栅源极电压:±20V
  典型导通电阻(Rds(on)):17mΩ @ Vgs=10V
  典型导通电阻(Rds(on)):30mΩ @ Vgs=4.5V
  总功耗:91W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. IRLZ44NSTRR 的低导通电阻特性有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 它支持逻辑电平驱动,这意味着可以用较低的栅极驱动电压(如 5V 或 3.3V)来激活 MOSFET,适合现代低电压数字电路。
  3. 快速开关速度减少了开关损耗,非常适合高频应用。
  4. 高电流处理能力使其适用于大功率场景。
  5. 具有良好的热稳定性和可靠性,能够承受较高的温度范围。
  6. TO-252 封装提供了更好的散热性能,简化了 PCB 设计过程。

应用

IRLZ44NSTRR 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies)。
  2. DC-DC 转换器。
  3. 电池管理及保护电路。
  4. 电机驱动和控制。
  5. 负载开关。
  6. LED 驱动电路。
  7. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRLZ44N, IRLZ44PBF, FDN340P, AO3400

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IRLZ44NSTRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C47A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)