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IRLZ44NPBF 发布时间 时间:2025/7/9 10:40:55 查看 阅读:19

IRLZ44NPBF 是一款 N 沱道功率场效应晶体管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)生产。该器件采用了先进的逻辑电平驱动技术,适用于低电压应用场合,具有极低的导通电阻和较高的开关速度。IRLZ44NPBF 采用 TO-252 (DPAK) 封装形式,适合表面贴装工艺,广泛应用于消费类电子、工业控制以及通信设备等领域。
  这款 MOSFET 在低电压驱动条件下表现优异,能够有效降低功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ @ Vgs=10V
  总功耗:91W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRLZ44NPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够在高电流条件下保持较低的功耗。
  2. 支持逻辑电平驱动,栅极开启电压低,可直接与标准 CMOS 或 TTL 输出接口兼容。
  3. 快速开关性能,有助于减少开关损耗。
  4. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件在异常情况下的可靠性。
  5. 工作温度范围广,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代设计需求。

应用

IRLZ44NPBF 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. 直流电机驱动和 H 桥电路。
  3. 电池管理及保护系统。
  4. 消费类电子产品中的负载开关。
  5. 工业自动化中的继电器替代方案。
  6. LED 驱动器和背光控制。
  7. 通信设备中的电源管理模块。

替代型号

IRLZ44N, IRLZ34N, FDS8934A

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IRLZ44NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C47A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLZ44NPBF