时间：2025/7/10 12:25:02
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IRLZ24NS是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换和DC-DC转换器等场景。由于其低导通电阻特性，能够有效降低功耗，提升系统效率。
这款MOSFET适用于中低功率应用场合，具有出色的开关性能和稳定性。其额定电压为30V，最大连续漏极电流可达18A，非常适合需要高效能和低损耗的电子电路设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC
总电容（Ciss）：720pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
IRLZ24NS具备低导通电阻特性，可以显著减少导通状态下的能量损失，从而提高整体效率。此外，该MOSFET支持较高的开关频率，能够满足现代电子设备对快速动态响应的需求。
其逻辑电平兼容性使得栅极驱动更加简便，无需额外的驱动电路即可由常见的微控制器或逻辑芯片直接驱动。同时，该器件还具有较强的热稳定性，在高温环境下也能保持良好的性能表现。
IRLZ24NS采用了TO-252封装，这种封装方式不仅散热性能好，而且易于安装在印刷电路板上，进一步提升了产品的可靠性和实用性。
IRLZ24NS主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 负载切换和保护电路。
4. DC-DC转换器的核心功率元件。
5. 各种便携式电子设备中的电源管理模块。
由于其低导通电阻和高效率的特点，IRLZ24NS特别适合需要高性能和低功耗的应用场景。
IRLZ24N, IRL24N, FDP5580
