IRLZ14A 时间：2025/6/17 6:55:29 阅读：4

IRLZ14A 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计，适合于低电压应用场合，例如电池供电设备、开关电源和电机驱动等。IRLZ14A具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高效率和紧凑空间的设计中表现出色。
　　这款MOSFET的主要特点是其阈值电压较低，能够直接由微控制器或数字逻辑电路驱动，而无需额外的驱动电路。这使得IRLZ14A在消费电子、工业控制和其他嵌入式系统领域非常受欢迎。

参数

最大漏源电压：20V
　　连续漏极电流：17A
　　导通电阻：0.018Ω
　　栅极电荷：15nC
　　总电容：390pF
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

IRLZ14A 具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻，仅为0.018Ω，从而降低了传导损耗并提高了系统效率。
　　2. 阈值电压低，典型值为1.8V，支持逻辑电平驱动。
　　3. 较高的电流处理能力，连续漏极电流可达17A。
　　4. 快速开关速度，得益于其较小的栅极电荷（15nC）。
　　5. 封装小巧，适用于高密度布局需求的应用场景。
　　6. 工作温度范围宽，适应各种恶劣环境条件。
　　这些特点使IRLZ14A成为众多低电压、高电流应用的理想选择。

应用

IRLZ14A广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源中的同步整流器。
　　2. DC/DC转换器。
　　3. 电池管理及保护电路。
　　4. 消费类电子产品中的负载开关。
　　5. 小型电机驱动。
　　6. 固态继电器。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，IRLZ14A在需要高效功率传输和快速响应的场合表现尤为突出。