型号：IRLU7843
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：30V
　　连续漏极电流ID：62A
　　脉冲漏极电流IDM：210A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：max 4.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：max 6.0mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极电荷Qg：typ 55nC @ VGS=10V
　　输入电容Ciss：typ 2300pF
　　开启延迟时间td(on)：typ 12ns
　　关断延迟时间td(off)：typ 45ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)

IRLU7843采用英飞凌先进的沟槽栅极与场截止技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，这意味着在大电流应用中温升更小，系统散热设计更为简单。此外，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的RDS(on)（典型值6.0mΩ），使其兼容逻辑电平驱动电路，适用于由微控制器或专用驱动IC直接控制的应用场景。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，典型的总栅极电荷Qg为55nC，输入电容Ciss为2300pF，这些参数保证了快速的开关响应和较低的驱动功率需求。开启延迟时间约为12ns，关断延迟时间为45ns，适合工作在数百kHz甚至更高的开关频率下，广泛用于同步整流、高频DC-DC变换器等场合。低Qg不仅减少了驱动电路的负担，还降低了开关过程中的交叉导通风险，提升了系统的稳定性和可靠性。
　　IRLU7843具备出色的热性能和高可靠性。其采用TO-252（DPAK）封装，底部带有裸露焊盘，能够有效将热量传导至PCB，实现良好的散热效果。该器件的工作结温可达+175°C，具备较强的环境适应能力，可在高温工业环境中稳定运行。同时，它具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在电源反接、感性负载突变等异常工况下保护自身不被击穿，提升了系统的鲁棒性。内置的体二极管也具备较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如H桥电机驱动或同步整流电路。

IRLU7843广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于对效率和热性能要求较高的场合。常见应用包括同步降压型DC-DC转换器，作为高边或低边开关使用，因其低导通电阻和快速开关特性，可显著提升转换效率。在电池供电系统中，如便携式设备、电动工具和无人机电源模块，IRLU7843有助于延长续航时间并减小散热装置体积。此外，它也被用于电机驱动电路，特别是在无刷直流电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动中，作为功率开关元件，实现精确的电流控制与方向切换。
　　在电源管理系统中，该器件可用于负载开关、热插拔控制器和OR-ing电路，凭借其低RDS(on)减少压降和功耗。在工业自动化设备中，如PLC模块、传感器电源和执行器驱动，IRLU7843提供了高可靠性和长寿命的解决方案。由于其良好的高温工作能力，也可用于汽车电子中的辅助电源系统，例如车载充电器、DC-DC模块和车身控制单元。此外，在LED驱动电源、服务器电源和通信电源等高密度电源设计中，IRLU7843的高频特性使其成为优化功率密度的理想选择。

IRL3803, IRLU024NPbF, FDP6030BL, SI4140DY