型号：IRLU2908
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：60V
　　连续漏极电流(ID)：22A @ 10V VGS
　　脉冲漏极电流(IDM)：88A
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：0.036Ω @ VGS=10V
　　导通电阻(RDS(on))：0.045Ω @ VGS=4.5V
　　栅极电荷(Qg)：40nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：1700pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间(td(on))：18ns
　　关闭延迟时间(td(off))：40ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

IRLU2908采用了英飞凌先进的沟道MOSFET制造工艺，具备出色的电学性能和热稳定性。其最大漏源击穿电压为60V，能够安全地应用于多种中低压功率系统中，例如电信设备电源、工业控制电源以及电动工具驱动电路。该器件的关键优势之一是其极低的导通电阻，在VGS=10V时典型值仅为36mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下，其RDS(on)也仅增加至45mΩ，使其兼容逻辑电平信号直接驱动的应用场合。
　　器件的栅极电荷Qg为40nC，属于较低水平，这意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有助于简化驱动电路设计并降低功耗。同时，输入电容Ciss为1700pF，在同类产品中处于合理范围，平衡了开关速度与电磁干扰之间的关系。快速的开关响应时间——开启延迟约18ns，关断延迟约40ns——使IRLU2908非常适合用于高频DC-DC变换器或同步整流拓扑结构中。
　　该MOSFET采用TO-252封装，具有较大的焊盘面积以利于热量传导，可通过PCB上的铜箔有效散热，从而提升长期运行的可靠性。器件的工作结温可达+175°C，具备良好的高温耐受性，适用于严苛环境下的应用。此外，IRLU2908通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）以及压力迁移测试等，确保在工业级应用场景中的长期稳定运行。

IRLU2908广泛应用于多种中等功率电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在AC-DC适配器和DC-DC降压/升压转换器中作为主开关管或同步整流器使用。由于其低导通电阻和良好的开关特性，它能有效减少能量损耗，提高电源效率。在电池供电设备中，如便携式仪器、电动自行车控制器或UPS不间断电源系统中，IRLU2908可用于电池充放电管理电路或负载切换控制，实现高效能的能量传输与隔离。
　　在电机驱动领域，该器件可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为上下桥臂的开关元件，提供快速响应和低发热表现。此外，在工业自动化控制系统中，IRLU2908可作为固态继电器或电子保险丝的核心组件，用于远程控制大电流负载的通断操作。在LED照明驱动电源中，也可用作恒流调节回路中的功率开关，支持高亮度LED阵列的稳定工作。
　　其他应用还包括逆变器、太阳能充电控制器、电源分配单元（PDU）、服务器电源模块以及各类嵌入式电源管理系统。由于其封装形式为表面贴装型TO-252，特别适合需要紧凑布局和自动化生产的现代电子产品设计，尤其适用于对空间和散热都有一定要求的应用场景。

IRLB2908
　　IRLS2908
　　FQP2908
　　STP2908