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IRLU2905PBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:24:26 查看 阅读:14

IRLU2905PBF是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用TO-252表面贴装封装形式,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高频功率转换、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
  这款MOSFET特别适合需要高效能、低功耗的应用场景,其工作电压范围广,能够承受较高漏源电压,并且具备优异的热性能。

参数

最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:41A
  导通电阻Rds(on):7.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:38W
  结温范围Tj:-55℃至+175℃

特性

IRLU2905PBF拥有较低的导通电阻,这使得它在高电流应用场景中表现出色。此外,其逻辑电平设计降低了驱动要求,允许直接由微控制器或数字电路驱动,简化了系统设计。
  该器件还具备快速开关能力,可以减少开关损耗,提高效率。同时,由于采用了TO-252封装,其体积较小,非常适合空间受限的设计需求。
  另外,IRLU2905PBF的高温工作能力进一步拓宽了其适用范围,无论是工业设备还是消费电子产品,都可以使用此器件实现高性能表现。

应用

该MOSFET广泛应用于各种电源管理领域,例如开关模式电源(SMPS)、降压和升压转换器、电池充电管理系统以及电动工具和家用电器中的电机控制。
  此外,在通信基础设施和汽车电子中,IRLU2905PBF也常用于负载切换、继电器替代和信号放大等功能模块中。

替代型号

IRLZ44N
  AO3400
  FDP5800
  STP55NF06L

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IRLU2905PBF参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列HEXFET?
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)42A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)27 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)48 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1700 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I-PAK
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA