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IRLU024NPBF 发布时间 时间:2025/4/27 9:17:02 查看 阅读:4

IRLU024NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装,广泛用于需要高效能开关和低导通电阻的电路中。
  这款MOSFET在低压应用中表现出色,特别适合高频开关场景。其高雪崩击穿能力也使其在恶劣工作条件下具备较强的耐用性。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):10mΩ
  栅极电荷(典型值):8.7nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-252 (DPAK)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRLU024NPBF具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它非常适合于高效能电源转换应用。此外,它的快速开关性能可以减少开关损耗,从而提高整体效率。
  该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,可以在过载或短路情况下提供额外保护。由于采用了逻辑电平驱动设计,可以直接与微控制器或其他低电压信号源配合使用,简化了电路设计。
  主要特点包括:
  - 低导通电阻,降低传导损耗
  - 快速开关速度,减少开关损耗
  - 高雪崩能量能力
  - 宽工作温度范围
  - 符合RoHS标准

应用

IRLU024NPBF常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
  2. DC/DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 电池管理及保护系统
  5. 负载开关
  6. LED驱动器
  7. 汽车电子应用中的负载切换
  其低导通电阻和快速开关特性使其成为许多高效能、紧凑型设计的理想选择。

替代型号

IRLZ44N, FDP5500, AO3400A

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IRLU024NPBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds480pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRLU024NPBF