IRLU024NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装,广泛用于需要高效能开关和低导通电阻的电路中。
这款MOSFET在低压应用中表现出色,特别适合高频开关场景。其高雪崩击穿能力也使其在恶劣工作条件下具备较强的耐用性。
最大漏源电压:55V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:16A
导通电阻(典型值,在Vgs=10V时):10mΩ
栅极电荷(典型值):8.7nC
开关速度:快速
封装形式:TO-252 (DPAK)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
IRLU024NPBF具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这使得它非常适合于高效能电源转换应用。此外,它的快速开关性能可以减少开关损耗,从而提高整体效率。
该器件还具有良好的热稳定性和抗雪崩能力,可以在过载或短路情况下提供额外保护。由于采用了逻辑电平驱动设计,可以直接与微控制器或其他低电压信号源配合使用,简化了电路设计。
主要特点包括:
- 低导通电阻,降低传导损耗
- 快速开关速度,减少开关损耗
- 高雪崩能量能力
- 宽工作温度范围
- 符合RoHS标准
IRLU024NPBF常用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流
2. DC/DC转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理及保护系统
5. 负载开关
6. LED驱动器
7. 汽车电子应用中的负载切换
其低导通电阻和快速开关特性使其成为许多高效能、紧凑型设计的理想选择。
IRLZ44N, FDP5500, AO3400A