时间：2025/12/23 13:39:45
阅读：11
IRLTS8342TRPBF是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TOLT封装形式。该器件设计用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电池供电设备等场景。
这款MOSFET特别适用于需要高效率和高可靠性的电路中，其优化的电气参数能够有效降低功率损耗，提高整体系统性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ
栅极电荷：28nC
输入电容：2070pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TOLT
IRLTS8342TRPBF具备极低的导通电阻（Rds(on)），仅为3.5mΩ，能够在高频条件下保持较低的功耗。同时，其快速的开关速度和低栅极电荷使得它非常适合高频开关应用。
此外，该器件的工作结温范围宽广（-55℃至+175℃），确保了在极端环境下的稳定运行。TOLT封装进一步增强了散热性能，同时提供了可靠的机械强度。
该MOSFET还具有较高的雪崩耐量能力，提高了在异常工作条件下的鲁棒性。这些特点使其成为高性能功率管理应用的理想选择。
IRLTS8342TRPBF广泛应用于各类功率电子领域，包括但不限于：
- DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关
- 笔记本电脑及平板电脑的电源管理系统
- 工业电机驱动与控制
- 消费类电子产品中的负载开关
- 太阳能逆变器中的功率转换模块
- 各种便携式电池供电设备中的高效功率管理单元
IRLZ44N, FDS6670A, AO3402A
