IRLSZ14 时间：2025/12/26 21:20:20 阅读：13

IRLSZ14是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，专为高效率、高性能的电源管理应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极和硅基技术制造，能够在低电压应用中提供极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。IRLSZ14特别适用于需要紧凑尺寸和高效能表现的应用场景，例如电池供电设备、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等。其封装形式通常为节省空间的表面贴装型式，有助于在高密度PCB布局中实现更优的热性能与电气性能。此外，该MOSFET具备良好的栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现出色，同时降低了驱动损耗。器件还内置了对瞬态电压和静电放电（ESD）的一定防护能力，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。由于其优异的热稳定性和电流处理能力，IRLSZ14广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统及便携式电子设备中。

参数

型号：IRLSZ14
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大连续漏极电流（ID）：8.6 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：30 A
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：5.3 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.7 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.8 V ~ 1.4 V
　　栅极电荷（Qg）：7.5 nC @ VGS = 10 V
　　输入电容（Ciss）：490 pF @ VDS = 10 V
　　功率耗散（PD）：1.6 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

特性

IRLSZ14具备出色的导通性能和开关响应能力，其核心优势之一是极低的导通电阻，在VGS=10V时典型值仅为5.3mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，尤其适合用于大电流、低电压输出的电源系统中。该器件采用了优化的沟槽栅结构，不仅提高了单位面积内的载流子迁移率，还有效降低了米勒电容效应，从而改善了高频开关过程中的动态性能。
　　另一个关键特性是其优异的热管理能力。PowerPAK SO-8L封装去除了传统封装中的引线框架限制，通过大面积裸露焊盘直接将热量传导至PCB，实现高效的散热路径，使器件即使在持续高负载下也能维持较低的工作温度，延长使用寿命并提升系统可靠性。此外，该MOSFET具有较低的栅极驱动需求，Qg仅为7.5nC，意味着可以使用较小的驱动电路或控制器，进一步缩小整体解决方案尺寸，并降低功耗。
　　IRLSZ14还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，内部结构设计增强了对电压尖峰和瞬态事件的抵抗力。其栅氧化层经过严格工艺控制，确保在±12V栅压范围内长期稳定运行，避免因过压导致的早期失效。器件符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色制造要求。在实际应用中，工程师可通过合理布局PCB走线和优化散热设计，充分发挥其高性能潜力。

应用

常用于同步整流型DC-DC降压变换器中作为主开关或整流开关，也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的电源管理系统；还可用于电机驱动电路、LED背光驱动、热插拔控制器以及电池供电系统的负载开关和保护电路；在工业自动化和通信设备中，用于实现高效低噪声的电压调节模块（VRM）或POL（Point-of-Load）转换器。