型号：IRLS620
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（at TC=25°C）：100A
　　脉冲漏极电流IDM：400A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：2.8mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：4.0mΩ
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：5000pF（typ）
　　输出电容Coss：1900pF（typ）
　　反向恢复时间trr：35ns（typ）
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220

IRLS620具备极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下最大仅为2.8mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这一特性使其非常适合用于大电流应用场景，如大功率DC-DC转换器和同步整流电路中。低RDS(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化热管理设计并提升系统可靠性。
　　该器件采用了英飞凌先进的沟槽栅极技术和场截止（Field-Stop）工艺，优化了载流子分布，实现了更快的开关速度和更低的开关损耗。其输入电容和输出电容均经过精心设计，在高频开关应用中表现出良好的动态响应能力，减少了开关过程中的能量损耗，从而支持更高频率的工作模式，有利于减小外围滤波元件的尺寸，实现电源系统的微型化。
　　IRLS620具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达100A（在TC=25°C条件下），并且能承受高达400A的脉冲电流，适合应对瞬态过载或启动冲击等严苛工况。其坚固的TO-220封装提供了良好的机械强度和散热性能，可通过外接散热片进一步提升热耗散能力，确保在高负载条件下长期稳定运行。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2.0V至3.0V，兼容标准逻辑电平驱动信号，同时也支持10V驱动以实现完全导通。其栅源电压额定值为±20V，具备一定的过压耐受能力，增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。内置的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（典型值35ns），有效减少了在感性负载切换时的反向恢复损耗和电压尖峰，提升了系统安全性。
　　此外，IRLS620的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，表明其可在极端温度环境下正常工作，适用于工业级甚至部分汽车级应用。器件符合RoHS环保标准，并通过了多项国际认证，确保其在各类严苛应用中的合规性和可靠性。

IRLS620广泛应用于多种高效率、大电流的功率电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源模块中作为主开关或同步整流器使用。其低导通电阻和高电流能力使其成为DC-DC降压或升压转换器中的理想选择，尤其是在多相VRM（电压调节模块）设计中，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。
　　在电机驱动领域，IRLS620可用于直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）的H桥驱动电路中，承担高速开关任务。其快速的开关特性和内置快速体二极管有助于减少换向过程中的能量损耗和电压震荡，提升驱动系统的响应速度和平稳性。
　　该器件也适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能充电控制器等能源转换设备中，用于功率路径控制和能量传输管理。在这些应用中，IRLS620的高效率和高可靠性可显著延长系统使用寿命并减少维护成本。
　　此外，由于其良好的热稳定性和宽温度工作范围，IRLS620也可用于汽车电子系统中的辅助电源或车载充电装置，尽管它并非专为汽车级AEC-Q101认证设计，但在非安全关键类应用中仍具实用价值。
　　在消费类电子产品中，如高端台式机电源、游戏主机电源模块或大功率LED驱动电源中，IRLS620同样发挥着重要作用，支持高功率密度设计，满足现代电子产品对小型化和高效能的双重需求。

IRL620PBF
　　IRL630
　　IPB036N06N