类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET?
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.9 毫欧 @ 110A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:130nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :11490pF @ 50V
功率 - 最大:370W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:D2Pak, TO-263 (6 引线 + 接片)
包装:管件
供应商设备封装:D2PAK (7-Lead)
厂商 |
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Infineon / IR |