IRLR9343TRRPBF 时间：2025/12/26 20:16:50 阅读：20

IRLR9343TRRPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于高效率电源转换和功率开关系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，能够在高电流条件下实现较低的传导损耗，从而提升系统整体效率。IRLR9343TRRPBF封装在小型化的DirectFET? S3P（Surface-Mount Power Package）封装中，具备优良的热性能和电流处理能力，适合空间受限但对散热要求较高的应用环境。该MOSFET设计用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及电池供电设备中的功率管理模块。其额定电压为30V，适用于低电压大电流的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合现代绿色电子产品制造要求。IRLR9343TRRPBF通过优化的封装设计实现了更低的热阻，使器件在持续高负载下仍能保持稳定运行。

参数

型号：IRLR9343TRRPBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品类型：MOSFET
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：170 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：680 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：2.7 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：3.7 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：5.3 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：68 nC
　　输入电容（Ciss）：4020 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10 ns
　　关闭延迟时间（td(off)）：28 ns
　　上升时间（tr）：24 ns
　　下降时间（tf）：18 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　安装类型：表面贴装型
　　封装/外壳：DirectFET? S3P

特性

IRLR9343TRRPBF采用了Infineon先进的沟槽栅极MOSFET工艺，这种结构显著降低了单位面积下的导通电阻，从而在相同封装尺寸下实现了更高的电流密度和更小的功率损耗。其超低的RDS(on)值在2.7mΩ（VGS=10V时）使得该器件特别适合用于大电流输出的同步降压转换器中，例如服务器主板上的VRM（电压调节模块），能够有效减少发热并提高能效。器件的栅极阈值电压典型值为1.9V，保证了与逻辑电平信号的良好兼容性，支持直接由PWM控制器驱动而无需额外的电平转换电路。
　　该MOSFET的封装采用DirectFET? S3P技术，顶部和底部均可进行散热，极大提升了热传导效率。相较于传统的DPAK或SO-8封装，S3P封装在PCB布局上提供了更好的电流分布均匀性和更低的寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象，提升系统的EMI性能。此外，该封装形式支持双面冷却设计，在高功率密度电源系统中尤为关键。
　　IRLR9343TRRPBF具备良好的雪崩能量承受能力和抗短路能力，增强了在异常工况下的可靠性。其内部结构优化减少了热失控风险，即使在瞬态过载情况下也能维持稳定工作。器件的电容参数经过优化，确保快速开关响应的同时不过度增加驱动损耗。同时，低Qg特性有助于降低栅极驱动器的功耗，进一步提升系统效率。综合来看，这款MOSFET在高性能计算、电信电源、工业电源及便携式电力设备中表现出色，是追求高效、紧凑设计的理想选择。

应用

IRLR9343TRRPBF主要用于需要高电流密度和高效率的电源管理系统中。典型应用包括同步降压转换器，尤其是在多相VRM架构中作为低边或高边开关使用，常见于高端CPU和GPU供电系统。它也广泛用于DC-DC变换器模块、POL（Point-of-Load）稳压器、笔记本电脑和服务器电源单元。此外，该器件适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机动力系统以及太阳能逆变器中的功率切换环节。由于其出色的热性能和电气特性，也可用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器中的桥式开关元件。在通信基础设施设备中，该MOSFET可用于热插拔电路保护和电源分配网络。其小型化封装使其成为空间敏感型消费电子产品的理想选择，例如超薄笔记本电脑和平板设备中的电源管理模块。工业自动化设备、PLC模块以及测试测量仪器中的高效开关电源同样可受益于该器件的高性能表现。