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IRLR9343TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 17:53:27 查看 阅读:8

IRLR9343TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道逻辑电平增强型MOSFET。该器件采用薄小外形晶体管封装(TO-252/DPak),适用于需要低导通电阻和快速开关的应用场景。其设计特别针对功率转换、负载切换和电机驱动等应用,能够提供高效的功率传输和较低的功耗。
  这款MOSFET具有非常低的导通电阻(Rds(on)),在栅极电压为10V时,典型值仅为2.5毫欧姆,从而降低了导通损耗并提高了系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:68A
  栅极阈值电压:1.2V~2.2V
  导通电阻(Vgs=10V):2.5mΩ
  导通电阻(Vgs=4.5V):3.5mΩ
  导通电阻(Vgs=2.5V):5mΩ
  总功耗:76W
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

IRLR9343TRPBF 具有出色的性能特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 支持宽范围的栅极驱动电压,兼容3.3V、5V和12V逻辑电平输入。
  3. 高温稳定性,允许的工作温度范围为-55℃至+175℃,适合苛刻环境下的应用。
  4. 快速开关能力,有助于减少开关损耗。
  5. 小型化的封装形式,便于PCB布局和高密度设计。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于焊接加工。

应用

IRLR9343TRPBF 常用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电池管理系统的负载切换。
  4. 汽车电子中的电机控制和负载驱动。
  5. 工业自动化设备中的功率转换与控制。
  6. 大功率LED驱动电路中的开关元件。

替代型号

IRLR7843, IRLR8843

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IRLR9343TRPBF参数

  • 标准包装6,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 50V
  • 功率 - 最大79W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)