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IRLR8726TRLPBF 发布时间 时间:2025/7/1 23:22:32 查看 阅读:22

IRLR8726TRLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沯道逻辑增强型 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高效能电源管理应用。
  该 MOSFET 主要用于需要高效率和低功耗的场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。其卓越的性能使得 IRLR8726TRLPBF 成为众多工业和汽车应用的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:129A
  导通电阻:0.55mΩ
  栅极电荷:46nC
  总热阻(结到环境):44°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

IRLR8726TRLPBF 具有非常低的导通电阻 (Rds(on)),仅为 0.55mΩ,这有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
  此外,该器件还具备较高的雪崩击穿能量,增强了其在恶劣条件下的耐用性。
  MOSFET 的快速开关能力使其非常适合高频操作,从而减小了外部元件的尺寸并降低了系统的总体成本。
  TOLL 封装设计提供了优越的散热性能和机械稳定性,同时支持大电流传输。
  由于其能够在高达 175°C 的温度下运行,因此在高温环境中表现依旧出色,这对于许多汽车和工业应用来说至关重要。

应用

IRLR8726TRLPBF 广泛应用于各种高效能需求领域,包括但不限于:
  1. 各类 DC-DC 转换器,在这些转换器中,低导通电阻可以显著降低功率损耗。
  2. 开关模式电源 (SMPS),以实现更高效的能源转换。
  3. 电机驱动应用,例如无刷直流电机控制,提供平稳且高效的电机运行。
  4. 电池管理系统的充放电控制,确保电池的安全和长寿命。
  5. 汽车电子设备中的负载切换和保护功能,如电动车窗、座椅调节等。

替代型号

IRLR8726PbF, IRLR8728TRLPBF

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IRLR8726TRLPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C86A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2150pF @ 15V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)