IRLR8726是一款N沟道逻辑级功率MOSFET,由英飞凌(Infineon)生产。该器件具有极低的导通电阻(Rds(on)),专为需要高效率和低损耗的应用设计,例如同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备等。其工作电压范围为30V,并且采用逻辑电平驱动技术,使其可以与标准CMOS或LSTTL输出直接连接。
IRLR8726在低电压条件下表现出色,尤其适合于便携式电子设备和消费类电子产品中的功率管理电路。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:92A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极-源极电压:±20V
总功耗:54W
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
IRLR8726具有超低导通电阻,从而显著降低传导损耗,提高系统效率。
它支持逻辑电平驱动,允许使用较低的栅极驱动电压(如3.3V或5V),简化了电路设计并降低了驱动复杂性。
具备快速开关速度,有助于减少开关损耗,特别适用于高频应用。
内置反向恢复二极管,能够有效处理反向电流,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
该器件采用TO-252封装,具有良好的散热性能,便于PCB布局和安装。
工作温度范围宽广,适用于各种环境条件下的工业和消费类应用。
IRLR8726广泛应用于以下领域:
1. 同步整流电路,用于提升电源转换效率。
2. DC-DC转换器,包括降压、升压和反激拓扑。
3. 电池管理系统(BMS),如锂离子电池保护和充放电控制。
4.电路。
5. 小型电机驱动和控制,例如无刷直流电机(BLDC)。
6. 消费类电子产品中的功率管理模块,例如笔记本电脑适配器和智能手机充电器。
IRLR7843, IRLZ44N, AO3400