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IRLR8256TRPBF 发布时间 时间:2025/6/24 8:36:21 查看 阅读:9

IRLR8256TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的MOSFET功率晶体管,采用SO-8封装形式。该器件属于逻辑电平MOSFET,具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于高效能开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要低损耗和高效率的电路应用。
  该器件在设计上特别优化了其导通电阻和栅极电荷参数,从而降低了导通和开关损耗,使得它能够在高频开关条件下保持高效的性能表现。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻(典型值):2.7mΩ
  栅极电荷:19nC
  总电容:280pF
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

IRLR8256TRPBF具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低导通时的功率损耗。
  2. 快速的开关速度,这得益于其较低的栅极电荷量。
  3. 高效的工作能力,适用于高频开关应用环境。
  4. SO-8小型化封装,适合紧凑型设计。
  5. 良好的热稳定性,能在较宽的温度范围内稳定工作。
  6. 可靠性高,符合工业级标准,适用于多种应用场景。

应用

这款MOSFET广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动电路,例如直流无刷电机控制。
  3. 各类负载开关,如笔记本电脑、平板电脑中的电源管理。
  4. LED驱动电路,提供高效的电流调节。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子领域,如车载DC-DC转换器、启动电路等。

替代型号

IRLZ44N, IRLR8243

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IRLR8256TRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C81A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.7 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1470pF @ 13V
  • 功率 - 最大63W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR8256TRPBFTR