IRLR8203TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管,采用Trench技术制造。该器件为逻辑电平增强型N沟道MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高频开关应用和负载切换场景。其封装形式为TO-263-3L(D2PAK),适合表面贴装工艺。
该MOSFET的典型应用场景包括DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等,能够满足工业、消费电子和汽车领域对高效功率管理的需求。
最大漏源电压:45V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:119A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:17nC
开关时间:ton=11ns, toff=19ns
工作温度范围:-55℃至175℃
IRLR8203TRPBF具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低功率损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力,支持大电流负载的应用。
3. 快速开关性能,适合高频操作环境。
4. 逻辑电平驱动兼容性,简化了与控制器接口的设计。
5. 耐热增强型D2PAK封装,提供了良好的散热性能。
6. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境条件。
这些特点使得IRLR8203TRPBF成为需要高效能和高可靠性的功率管理应用的理想选择。
IRLR8203TRPBF主要应用于以下领域:
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑结构。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理系统。
5. 汽车电子中的负载切换和保护功能。
6. 大功率LED驱动器。
由于其出色的电气性能和可靠性,这款MOSFET在多个行业中得到了广泛应用。
IRLR8244TRPBF, IRLR8216TRPBF